您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > A字母型号搜索 > A字母第2456页 >

AOB266L

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
AOB266L PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 60V 140A TO263
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> FET - 单
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点
  • 逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
  • 200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装
  • TO-220FP
  • 包装
  • 管件
AOB266L 技术参数
  • AOB264L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 19A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):19A(Ta),140A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):94nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOB262L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Ta),140A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.8 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):115nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9800pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOB2618L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 23A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Ta),23A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):950pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOB260L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Ta),140A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.2 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):14200pF @ 30V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOB2608L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 72A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Ta),72A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.6 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2995pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOB290L AOB2910L AOB2918L AOB292L AOB296L AOB298L AOB29S50L AOB409L AOB411L AOB411L_001 AOB412L AOB414 AOB414_001 AOB416 AOB418 AOB4184 AOB42S60L AOB440
配单专家

在采购AOB266L进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买AOB266L产品风险,建议您在购买AOB266L相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的AOB266L信息由会员自行提供,AOB266L内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号