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BLF6G22LS-180RN

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制造商
PHILIPS
制造商全称
NXP Semiconductors
功能描述
Power LDMOS transistor

BLF6G22LS-180RN 技术参数

BLF6G22LS-180PN:11 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 32V 1.6A 2.11GHz ~ 2.17GHz 17.5dB 50W SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:17.5dB 电压 - 测试:32V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.6A 功率 - 输出:50W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:100 BLF6G22LS-180PN,11 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 32V 1.6A 2.11GHz ~ 2.17GHz 17.5dB 50W SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:17.5dB 电压 - 测试:32V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.6A 功率 - 输出:50W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:20 BLF6G22LS-130,118 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.1A 2.11GHz ~ 2.17GHz 17dB 30W SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间晶体管类型:LDMOS 频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:17dB 电压 - 测试:28V 额定电流:34A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.1A 功率 - 输出:30W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:100 BLF6G22LS-130,112 功能描述:FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:生命周期结束晶体管类型:LDMOS 频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:17dB 电压 - 测试:28V 额定电流:34A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.1A 功率 - 输出:30W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:20 BLF6G22LS-100,118 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 950mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 18.2dB 25W SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间晶体管类型:LDMOS 频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:18.2dB 电压 - 测试:28V 额定电流:29A 噪声系数:- 电流 - 测试:950mA 功率 - 输出:25W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:100 BLF6G27-10,118 BLF6G27-100,112 BLF6G27-100,118 BLF6G27-10G,112 BLF6G27-10G,118 BLF6G27-135,112 BLF6G27-45,112 BLF6G27-45,135 BLF6G27-75,112 BLF6G27L-40P,112 BLF6G27L-40P,118 BLF6G27L-50BN,112 BLF6G27L-50BN,118 BLF6G27LS-100,112 BLF6G27LS-100,118 BLF6G27LS-135,112 BLF6G27LS-135,118 BLF6G27LS-40P,112