BSC110N06NS3G

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BSC110N06NS3GATMA1
深圳市正永电子有限公司
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联系人：陈小姐
电话：0755-23930354
地址：中航路都会轩3607
9800
Infineon Technologies
PG-TDSON-8
19+
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代理直销！进口原装正品！

BSC110N06NS3GATMA1
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
5000
INFINEON APAC (CHINA)
主营优势
1851
-
100%原装正品★终端免费供样★

BSC110N06NS3G
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
5
INF
ORIGONAL
16+
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0.26432 USD,szpoweri...

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述

BSC110N06NS3G 技术参数

BSC109N10NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:63A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10.9 毫欧 @ 46A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 45μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2500pF @ 50V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC106N025S G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 30A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta），30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10.6 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1370pF @ 15V 功率 - 最大值:43W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:5,000 BSC105N10LSFGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11.4A（Ta），90A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10.5 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 110μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3900pF @ 50V 功率 - 最大值:156W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC100N10NSFGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11.4A（Ta），90A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 110μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2900pF @ 50V 功率 - 最大值:156W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC100N06LS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 23μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3500pF @ 30V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC12DN20NS3 G BSC12DN20NS3GATMA1 BSC130P03LS G BSC130P03LSGAUMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 BSC150N03LD G BSC150N03LDGATMA1 BSC152N10NSFGATMA1 BSC159N10LSF G BSC159N10LSFGATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 BSC16DN25NS3 G BSC16DN25NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 BSC196N10NSGATMA1 BSC200P03LSGAUMA1