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BSL308PE

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数量
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封装
批号
价格
说明
操作

BSL308PEH6327XTSA1
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
6000
INF
ORIGONAL
16+
-
0.1298 USD,szpoweric...

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制造商
INFINEON
制造商全称
Infineon Technologies AG
功能描述
OptiMOS? P3 Small-Signal-Transistor

BSL308PE 技术参数

BSL308CL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.3A，2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 11μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:500nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:275pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:3,000 BSL308CH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:汽车级，AEC-Q101，OptiMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.3A，2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 11μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:275pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:1 BSL307SPT 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:43 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 40μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:805pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:P-TSOP6-6 标准包装:3,000 BSL307SPL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:43 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 40μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:805pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:1 BSL307SPH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:43 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 40μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:805pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP-6-1 标准包装:1 BSL606SNH6327XTSA1 BSL716SNH6327XTSA1 BSL802SNH6327XTSA1 BSL802SNL6327HTSA1 BSL806NH6327XTSA1 BSL806NL6327HTSA1 BSM BSM-015G-LF BSM080D12P2C008 BSM100GB60DLC BSM100GB60DLCHOSA1 BSM120D12P2C005 BSM150GB60DLCHOSA1 BSM150GD60DLC BSM180D12P2C101 BSM180D12P3C007 BSM1-C BSM1-X