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MB85RS1MTPNF-G-JNERE1

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制造商
FUJITSU
功能描述
IC FRAM 1MBIT SPI 8SOP

MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 技术参数

MB85RS1MTPH-G-JNE1 功能描述:IC FRAM 1MBIT 40MHZ 8DIP 制造商:fujitsu electronics america, inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售存储器类型:非易失存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM）存储容量:1Mb （128K x 8）时钟频率:40MHz 写周期时间 - 字，页:- 存储器接口:SPI 电压 - 电源:1.8 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:8-DIP 标准包装:50 MB85RS16PNF-G-JNERE1 制造商:FUJITSU 功能描述:IC FRAM 16KBIT SPI 8SOP MB85RS16NPN-G-AMEWE1 功能描述:IC FRAM 16KBIT 20MHZ 8SON 制造商:fujitsu electronics america, inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:FRAM（Ferroelectric RAM）存储容量:16K（2K x 8）速度:20MHz 接口:SPI 串行电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:8-WFDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-SON 标准包装:1 MB85RS16NPNF-G-JNERE1 功能描述:IC FRAM 16KBIT 20MHZ 8SOP 制造商:fujitsu electronics america, inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:FRAM（Ferroelectric RAM）存储容量:16K（2K x 8）速度:20MHz 接口:SPI 串行电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 MB85RS128TYPNF-GS-BCERE1 功能描述:128KBIT FRAM WITH SPI, AECQ100 H 制造商:fujitsu electronics america, inc. 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT）零件状态:在售存储器类型:非易失存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM）存储容量:128Kb （16K x 8）时钟频率:33MHz 写周期时间 - 字，页:- 存储器接口:SPI 电压 - 电源:1.8 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 MB85RS512TPNF-G-JNERE1 MB85RS64PNF-G-JNE1 MB85RS64PNF-G-JNERE1 MB85RS64VPNF-G-JNERE1 MB86 MB86276PB-GS-ZE1 MB86296SPB-GSE1 MB86296SPB-GS-JXE1 MB86297APBH-GSE1 MB86613SPFV-G-BND MB86613SPMC-G-BNDE1 MB86614APBT-GE1 MB86614APFV-G-BNDE1 MB86619BPFF-G-BNDE1 MB86-BP MB86L12A-RFSS-P1US1 MB86R01PB-GSE1 MB87