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PMBS3904,215

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  • 功能描述
  • 两极晶体管 - BJT TRANS SW TAPE-7
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶体管极性
  • PNP
  • 集电极—基极电压 VCBO
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • - 40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
  • - 6 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 最大直流电集电极电流
  • 增益带宽产品fT
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • PowerFLAT 2 x 2
PMBS3904,215 技术参数
  • PMBFJ620,115 功能描述:JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) 电压 - 击穿(V(BR)GSS):25V 漏源极电压(Vdss):25V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):24mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):2V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5pF @ 10V 电阻 - RDS(开):50 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 功率 - 最大值:190mW 标准包装:1 PMBFJ310,215 功能描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):25V 漏源极电压(Vdss):25V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):24mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):2V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5pF @ 10V 电阻 - RDS(开):50 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 标准包装:1 PMBFJ309,215 功能描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):25V 漏源极电压(Vdss):25V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):12mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):1V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5pF @ 10V 电阻 - RDS(开):50 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 标准包装:1 PMBFJ177,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:P 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):30V 漏源极电压(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):1.5mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):800mV @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8pF @ 10V(VGS) 电阻 - RDS(开):300 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 PMBFJ176,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:P 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):30V 漏源极电压(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):2mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):1V @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8pF @ 10V(VGS) 电阻 - RDS(开):250 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 PMBT2369,235 PMBT2907,215 PMBT2907A,215 PMBT2907A,235 PMBT2907A/DLTR PMBT2907A/MIGR PMBT2907A/MIGVL PMBT2907AYSX PMBT3904,215 PMBT3904,235 PMBT3904/8,215 PMBT3904M,315 PMBT3904MB,315 PMBT3904VS,115 PMBT3904YS,115 PMBT3906,215 PMBT3906,235 PMBT3906M,315
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