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参数资料
| 型号： | IC42S81600-8T |
| 英文描述： | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 4（2）M中的x 8（16）位× 4银行（128 - Mbit的）同步动态RAM |
| 文件页数： | 20/69页 |
| 文件大小： | 1118K |
| 代理商： | IC42S81600-8T |
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IC42S81600/IC42S81600L
IC42S16800/IC42S16800L
Integrated Circuit Solution Inc.
27
DR023-0E 6/11/2004
PRECHARGE TERMINATION
PRECHARGE TERMINATION in READ Cycle
During READ cycle, the burst read operation is terminated by a precharge command.
When the precharge command is issued, the burst read operation is terminated and precharge starts.
The same bank can be activated again after tRP from the precharge command.
When CAS latency is 2, the read data will remain valid until one clock after the precharge command.
When CAS latency is 3, the read data will remain valid until two clocks after the precharge command.
Precharge Termination in READ Cycle
Burst lengh= X
CLK
Command
CAS
latency=2
DQ
Hi-Z
Read
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
PRE
ACT
DQ
Read
PRE
ACT
tRP
CAS
latency=3
Q0
Q3
Q2
Q1
Hi-Z
Q0
Q3
Q2
Q1
command
tRP
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IC42S81600-8T(G) | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IC42S81600-8T(G) | 制造商:ICSI 制造商全称:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600-8TG | 制造商:ICSI 制造商全称:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600-8TI | 制造商:ICSI 制造商全称:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600-8TI(G) | 制造商:ICSI 制造商全称:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600-8TIG | 制造商:ICSI 制造商全称:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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