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参数资料
| 型号： | IC42S81600L-8TG |
| 英文描述： | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 4（2）M中的x 8（16）位× 4银行（128 - Mbit的）同步动态RAM |
| 文件页数： | 17/69页 |
| 文件大小： | 1118K |
| 代理商： | IC42S81600L-8TG |
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IC42S81600/IC42S81600L
IC42S16800/IC42S16800L
24
Integrated Circuit Solution Inc.
DR023-0E 6/11/2004
Write to Read Command Interval
The write command to read command interval is also a minimum of 1 cycle. Only the write data before the read command
will be written. The data bus must be Hi-Z at least one cycle prior to the first DOUT.
WRITE to READ Command Interval
Burst lengh=4
CLK
Command
CAS
latency=2
DQ
Command
CAS
latency=3
DQ
QB0
QB3
QB2
QB1
WRITE A
Write A
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
QB0
QB3
QB2
QB1
1 cycle
Read B
DA0
Read B
DA0
Hi-Z
Read to Write Command Interval
During a read cycle, READ can be interrupted by WRITE.
DQM must be in High at least 3 clocks prior to the write command. There is a restriction to avoid a data conflict. The data
bus must be Hi-Z using DQM before Write.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IC42S81600L-8TI | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC752CMO201 | INTERCONNECTION DEVICE |
| ICA-422-JGT | DIP22, IC SOCKET |
| ICA-324-J-GT | DIP24, IC SOCKET |
| ICA-632-ZH-GT | DIP32, IC SOCKET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IC42S81600L-8TI | 制造商:ICSI 制造商全称:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600L-8TI(G) | 制造商:ICSI 制造商全称:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600L-8TIG | 制造商:ICSI 制造商全称:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S8200 | 制造商:ICSI 制造商全称:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1Meg x 8 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S8200-6T | 制造商:ICSI 制造商全称:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1Meg x 8 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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