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参数资料
| 型号： | ICL7667CBA-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER DUAL PWR 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 20ns |
| 电流 - 峰： | 1A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 15 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ICL7667
15V
+165V DC
+V C
1k
V+
IRF730
V OUT
C1
E1
TL494
C2
ICL7667
IRF730
GND
E2
1k
V-
+15V
FIGURE 10B.
FIGURE 10. DIRECT DRIVE OF MOSFET GATES
18V
CA
CB
V IN
EA
V+
1 μ F
IRF730
+165V
470
0V
CA1524
ICL7667
1 μ F
IRF730
EB
470
V-
FIGURE 11. TRANSFORMER COUPLED DRIVE CIRCUIT
V+
-165V
V OUT
0.1μF
+
IN914
D 1
4.7μF
0.1μF
4.7 μ F
R 1
10k
Q 2
1000pF
C 1
1/2
ICL7667
2200pF
FF10
IRFF120
0V - 5V
INPUT
FROM
PWM IC
1/2
ICL7667
5FF10
IRFF120
Z L
Q 1
FIGURE 12. VERY HIGH SPEED DRIVER
7
FN2853.6
April 29, 2010
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ICL7667CBAZA | 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL DL PWR MOS DRVR COM RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ICL7667CBAZA-T | 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL DL PWR MOS DRVR COM TAPE & RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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| ICL7667CPA+ | 功能描述:功率驱动器IC Dual Power Inverting MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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