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参数资料
| 型号： | ICL7667CPA |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER MOSFET DUAL PWR 8-DIP |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 20ns |
| 电流 - 峰： | 1.5A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 17 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-J6B-CW-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 95V 100W |
| 395-100-523-801 | CARD EDGE 100PS DL .100X.200 BLK |
| ECM12DRTH | CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD |
| R2D-1515/H-R | CONV DC/DC 2W 15VIN +/-15VOUT |
| 345-100-542-204 | CARDEDGE 100POS DUAL .100 GREEN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ICL7667CPA+ | 功能描述:功率驱动器IC Dual Power Inverting MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ICL7667CPAZ | 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL DL PWR MOS DRVR COM RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ICL7667CTV | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| ICL7667EBA | 功能描述:功率驱动器IC Dual Power Inverting MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ICL7667EBA+ | 功能描述:功率驱动器IC Dual Power Inverting MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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