参数资料
型号: ICS307G-03LFT
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 3/14页
文件大小: 0K
描述: IC CLOCK SOURCE PROGR 16-TSSOP
产品培训模块: Clock Distibution and Generation 1.0
标准包装: 1
系列: VersaClock™ II
类型: 时钟发生器
PLL:
输入: 时钟,晶体
输出: LVCMOS
电路数: 1
比率 - 输入:输出: 2:3
差分 - 输入:输出: 无/无
频率 - 最大: 270MHz
除法器/乘法器: 是/无
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装: 16-TSSOP
包装: 标准包装
产品目录页面: 1251 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 800-1796-6
ICS307-03
SERIALLY PROGRAMMABLE CLOCK SOURCE
SER PROG CLOCK SYNTHESIZER
IDT SERIALLY PROGRAMMABLE CLOCK SOURCE
11
ICS307-03
REV L 032911
Absolute Maximum Ratings
Stresses above the ratings listed below can cause permanent damage to the ICS307-03. These ratings, which are
standard values for IDT commercially rated parts, are stress ratings only. Functional operation of the device at these
or any other conditions above those indicated in the operational sections of the specifications is not implied.
Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods can affect product reliability.
Electrical parameters are guaranteed only over the recommended operating temperature range.
Recommended Operating Conditions
DC Electrical Characteristics
VDD=3.3 V ±0.3 V, Ambient temperature 0 to +70
° C, unless stated otherwise
Item
Rating
Supply Voltage, VDD
5 V
All Inputs and Outputs
-0.5 V to VDD+0.5 V
Storage Temperature
-65 to +150
° C
Soldering Temperature
260
° C
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Units
Ambient Operating Temperature
0
+70
° C
Power Supply Voltage (measured in respect to GND)
+3.0
+3.6
V
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Operating Voltage
VDD
3.0
3.6
V
Input High Voltage
VIH
2V
Input Low Voltage
VIL
0.8
V
Output High Voltage
VOH
IOH = -4 mA
2.4
V
Output Low Voltage
VOL
IOL = 4 mA
0.4
V
Output High Voltage,
CMOS level
VOH
IOH = -6.5 mA
VDD-0.4
V
Tri-state Output Leakage
1
A
Operating Supply Current
IDD
27 MHz crystal
No load, 100 MHz out,
all outputs enabled
24
mA
Short Circuit Current
CLK outputs
±60
mA
Input Capacitance
CIN
4pF
On-Chip Pull-up Resistor
RPU
240
k
Ω
On-Chip Pull-down
Resistor
RPD
100
k
Ω
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