参数资料
型号: ICS3726M-12
厂商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分类: 时钟产生/分配
英文描述: 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8
封装: 0.150 INCH, SOIC-8
文件页数: 5/6页
文件大小: 132K
代理商: ICS3726M-12
HIGH PERFORMANCE VCXO
MDS 3726-12 B
5
Revision 120505
In te gr ated Circuit Systems 525 Ra ce Street, San Jose, CA 9512 6 tel (4 08) 297-1 201 www.icst.com
ICS3726-12
PRELIMINARY INFORMATION
DC Electrical Characteristics
VDD=3.3 V ±5% , Ambient temperature 0 to +70
°C, unless stated otherwise
AC Electrical Characteristics
VDD = 3.3 V ±5%, Ambient Temperature 0 to +70
° C, unless stated otherwise
Note 1: External crystal device must conform with Pullable Crystal Specifications listed on page 3.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Operating Voltage
VDD
3.15
3.45
V
Output High Voltage
VOH
IOH = -12 mA
2.4
V
Output Low Voltage
VOL
IOL = 12 mA
0.4
V
Output High Voltage (CMOS
Level)
VOH
IOH = -4 mA
VDD-0.4
V
Operating Supply Current
IDD
No load
6
mA
Short Circuit Current
IOS
±50
mA
VIN, VCXO Control Voltage
VIA
03.3
V
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Output Frequency
FO
20
52
MHz
Crystal Pullability
FP
0V< VIN < 3.3 V, Note 1
+ 200
ppm
VCXO Gain
VIN = VDD/2 + 1 V, Note 1
150
ppm/V
Output Rise Time
tOR
0.8 to 2.0 V, CL=15 pF
1.5
ns
Output Fall Time
tOF
2.0 to 0.8 V, CL=15 pF
1.5
ns
Output Clock Duty Cycle
tD
Measured at 1.4 V, CL=15 pF
40
50
60
%
Period Jitter RMS
tJ
CL=15 pF @35.328 MHz
6.7
ps
Period Jitter P- P
tJ
CL=15 pF@35.328 MHz
46
ps
Integrated Jitter RMS
Integrated 12 kHz to 20 MHz
@ 35.328 MHz
1ps
Phase Noise relative to
Carrier
@35.328 MHz Carrier
frequency
@10 Hz
-65
dBc/Hz
@100 Hz
-90
dBc/Hz
@1 kHz
-120
dBc/Hz
@10 kHz
-140
dBc/Hz
@100 kHz
-147
dBc/Hz
@1 MHz
-147
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