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参数资料
| 型号： | ICS621MILF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CLK BUFFER 1:4 200MHZ 8-SOIC |
| 标准包装： | 97 |
| 类型： | 扇出缓冲器（分配） |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 1:4 |
| 差分 - 输入:输出： | 无/无 |
| 输入： | 时钟 |
| 输出： | LVCMOS |
| 频率 - 最大： | 200MHz |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.89 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 621MILF 800-2377-5 ICS621MILF-ND |
ICS621
LOW SKEW 1 TO 4 CLOCK BUFFER
FAN OUT BUFFER
IDT LOW SKEW 1 TO 4 CLOCK BUFFER
5
ICS621
REV G 051310
AC Electrical Characteristics
VDD = 1.2 V ±5%
, Ambient Temperature -40 to +85
° C or 0 to +70° C, unless stated otherwise
VDD = 1.5 V ±5%
, Ambient Temperature -40 to +85
° C or 0 to +70° C, unless stated otherwise
VDD = 1.8 V ±5%
, Ambient Temperature -40 to +85
° C or 0 to +70° C, unless stated otherwise
Notes: 1. With rail to rail input clock
2. Between any 2 outputs with equal loading.
3. Measured with a 15 pF load.
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Input Frequency
0
100
MHz
Output Rise Time
tOR
20% to 80%, Note 3
1.0
1.5
ns
Output Fall Time
tOF
80% to 20%, Note 3
1.0
1.5
ns
Propagation Delay
Note 1
2.2
3
5
ns
Output to Output Skew
Note 2
Rising edges at VDD/2
0
±150
ps
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Input Frequency
0
166
MHz
Output Rise Time
tOR
20% to 80%, Note 3
1.0
1.5
ns
Output Fall Time
tOF
80% to 20%, Note 3
1.0
1.5
ns
Propagation Delay
Note 1
2.2
3
5
ns
Output to Output Skew
Note 2
Rising edges at VDD/2
0
±150
ps
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Input Frequency
0
200
MHz
Output Rise Time
tOR
20% to 80%, Note 3
1.0
1.5
ns
Output Fall Time
tOF
80% to 20%, Note 3
1.0
1.5
ns
Propagation Delay
Note 1
2.2
3
5
ns
Output to Output Skew
Note 2
Rising edges at VDD/2
0
±150
ps
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Thermal Resistance Junction to
Ambient
θJA
Still air
150
° C/W
θJA
1 m/s air flow
140
° C/W
θJA
3 m/s air flow
120
° C/W
Thermal Resistance Junction to Case
θJC
40
° C/W
Case Temperature
120
° C
Thermal Resistance Junction to Top
of Case
ΨJT
Still air
20
° C/W
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PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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