参数资料
型号: ICS650R-22LFT
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 3/6页
文件大小: 0K
描述: IC CLK SOURCE PRV/STB 20-SSOP
标准包装: 2,500
类型: 时钟/频率合成器
PLL:
输入: 时钟,晶体
输出: CMOS
电路数: 1
比率 - 输入:输出: 1:7
差分 - 输入:输出: 无/无
频率 - 最大: 100MHz
除法器/乘法器: 无/无
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 20-SSOP(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 20-QSOP
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 650R-22LFT
ICS650-22
PRV AND STB CLOCK SOURCE
CLOCK SYNTHESIZER
IDT / ICS PRV AND STB CLOCK SOURCE
3
ICS650-22
REV F 051310
Absolute Maximum Ratings
Stresses above the ratings listed below can cause permanent damage to the ICS650-22. These ratings, which are
standard values for IDT commercially rated parts, are stress ratings only. Functional operation of the device at these
or any other conditions above those indicated in the operational sections of the specifications is not implied.
Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods can affect product reliability. Electrical
parameters are guaranteed only over the recommended operating temperature range.
Recommended Operation Conditions
DC Electrical Characteristics
Unless stated otherwise, VDD = 3.3V ±10%, Ambient Temperature 0 to +70
° C
Item
Rating
Supply Voltage, VDD
7 V
All Inputs and Outputs
-0.5 V to VDD+0.5 V
Ambient Operating Temperature
-40 to +85
° C
Storage Temperature
-65 to +150
° C
Junction Temperature
125
° C
Soldering Temperature
260
° C
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Units
Ambient Operating Temperature
0
-
+70
° C
Power Supply Voltage (measured in respect to GND)
+3.0
+3.3
+3.6
V
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Operating Voltage
VDD
3.0
3.3
3.6
V
Input High Voltage
VIH
VDD/2+1
VDD/2
V
Input Low Voltage
VIL
VDD/2
VDD/2-1
V
Output High Voltage
VOH
IOH = -25 mA
2.4
V
Output Low Voltage
VOL
IOL = +25 mA
0.5
V
Output High Voltage
VOL
IOH = -8 mA
VDD-0.4
V
Operating Supply Current
IDD
No Load, OE=1
29
mA
No Load, OE=0
13
mA
Short Circuit Current
IOS
Each output
±70
mA
Internal Pull-up Resistor
RPU
Input select
390
k
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