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参数资料
| 型号： | ICS670M-04ILFT |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BUFFER/MULTIPLIER ZD 16-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 时钟同步器，零延迟缓冲器 |
| PLL： | 是 |
| 输入： | 时钟 |
| 输出： | CMOS |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 1:1 |
| 差分 - 输入:输出： | 无/无 |
| 频率 - 最大： | 210MHz |
| 除法器/乘法器： | 无/是 |
| 电源电压： | 3 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 670M-04ILFT |
ICS670-04
LOW PHASE NOISE ZERO DELAY BUFFER AND MULTIPLIER
ZDB AND MULTIPLIER
IDT / ICS LOW PHASE NOISE ZERO DELAY BUFFER AND MULTIPLIER 4
ICS670-04
REV E 051310
AC Electrical Characteristics
VDD = 3.3V ±10%, Ambient Temperature -40 to +85
° C, unless stated otherwise
Note 1: Rising edge of ICLK compared with rising edge of CLK2, with FBCLK connected to FBIN, and 15 pF load
on CLK2.
Note for OE1
The OE1 pin is intended to facilitate board test. Note that disabling the FBLK will open the loop, causing a
high-frequency to be output from CLK2. Therefore, set OE1 low only if the chip is in power-down (S3:S0 = 0).
Thermal Characteristics
Short Circuit Current
IOS
Each output
±50
mA
Internal Pull-up Resistor
RPU
OE, select pins
200
k
Input Capacitance
CIN
OE, select pins
5
pF
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Input Clock Frequency
fIN
See table on page 2
5
210
MHz
Output Clock Frequency
210
MHz
Output Rise Time
tOR
0.8 to 2.0 V, no load
1.5
ns
Output Fall Time
tOF
2.0 to 0.8 V, no load
1.5
ns
Output Clock Duty Cycle
tDC
measured at VDD/2
45
50
55
%
Input to Output Skew
Note 1
±100
ps
Maximum Absolute Jitter
short term
±45
ps
Maximum Jitter
one sigma
15
ps
Phase Noise, relative to
carrier, 125 MHz (x5)
100 Hz offset
-103
dBc/Hz
1 kHz offset
-117
dBc/Hz
10 kHz
-111
dBc/Hz
200 kHz
-88
dBc/Hz
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Thermal Resistance Junction to
Ambient
θJA
Still air
120
° C/W
θJA
1 m/s air flow
115
° C/W
θJA
3 m/s air flow
105
° C/W
Thermal Resistance Junction to Case
θJC
58
° C/W
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