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参数资料
| 型号： | ICS840002AGI-01LFT |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FREQ SYNTHESIZER 16-TSSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | HiPerClockS™, FemtoClock™ |
| 类型： | 频率合成器 |
| PLL： | 带旁路 |
| 输入： | 晶体 |
| 输出： | LVCMOS，LVTTL |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 1:2 |
| 差分 - 输入:输出： | 无/无 |
| 频率 - 最大： | 175MHz |
| 除法器/乘法器： | 是/无 |
| 电源电压： | 2.375 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 840002AGI-01LFT |
ICS840002I-01 Data Sheet
FEMTOCLOCK, CRYSTAL-TO-LVCMOS/LVTTL FREQUENCY SYNTHESIZER
ICS840002AGI-01 REVISION B FEBRUARY 3, 2011
4
2011 Integrated Device Technology, Inc.
Table 3C. LVCMOS/LVTTL DC Characteristics, VDD = VDDA = VDDO = 3.3V±5% or 2.5V±5%; or
VDD = VDDA = 3.3V±5%, VDDO = 2.5V±5%, TA = -40°C to 85°C
NOTE 1: Outputs terminated with 50
to V
DDO/2. See Parameter Measurement Information section, Output Load Test Circuit diagrams.
Table 4. Crystal Characteristics
NOTE: Characterized using an 18pF parallel resonant crystal.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Minimum
Typical
Maximum
Units
VIH
Input High Voltage
VDD = 3.3V
2
VDD + 0.3
V
VDD = 2.5V
1.7
VDD + 0.3
V
VIL
Input Low Voltage
VDD = 3.3V
-0.3
0.8
V
VDD = 2.5V
-0.3
0.7
V
IIH
Input
High Current
OE, F_SEL0, F_SEL1
VDD = VIN = 3.465V or 2.625V
5
A
MR, TEST_CLK,
nXTAL_SEL, nPLL_SEL
VDD = VIN =3.465V or 2.625V
150
A
IIL
Input
Low Current
OE, F_SEL0, F_SEL1
VDD = 3.465V or 2.625V,
VIN = 0V
-150
A
MR, TEST_CLK,
nXTAL_SEL, nPLL_SEL
VDD = 3.465V or 2.625V,
VIN = 0V
-5
A
VOH
Output High Voltage; NOTE 1
VDDO = 3.3V±5%
2.6
V
VDDO = 2.5V±5%
1.8
V
VOL
Output Low Voltage; NOTE 1
VDDO = 3.3V±5% or 2.5V±5%
0.5
V
Parameter
Test Conditions
Minimum
Typical
Maximum
Units
Mode of Oscillation
Fundamental
Frequency
25
MHz
Equivalent Series Resistance (ESR)
50
Shunt Capacitance (CO)
7pF
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PDF描述 |
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