参数资料
型号: ICS8402AYILF
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 16/19页
文件大小: 0K
描述: IC FREQ SYNTHESIZER 32-LQFP
标准包装: 250
系列: HiPerClockS™
类型: 频率合成器
PLL: 带旁路
输入: 晶体
输出: LVCMOS,LVTTL
电路数: 1
比率 - 输入:输出: 1:2
差分 - 输入:输出: 无/无
频率 - 最大: 350MHz
除法器/乘法器: 是/无
电源电压: 3.135 V ~ 3.465 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 32-LQFP
供应商设备封装: 32-TQFP(7x7)
包装: 托盘
其它名称: 8402AYILF
ICS8402I
350MHZ, CRYSTAL-TO-LVCMOS/LVTTL FREQUENCY SYNTHESIZER
IDT / ICS LVCMOS/LVTTL FREQUENCY SYNTHESIZER
6
ICS8402AYI REV. A OCTOBER 16, 2007
Absolute Maximum Ratings
NOTE: Stresses beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device.
These ratings are stress specifications only. Functional operation of product at these conditions or any conditions beyond
those listed in the DC Characteristics or AC Characteristics is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for
extended periods may affect product reliability.
DC Electrical Characteristics
Table 4A. Power Supply DC Characteristics, VDD = 3.3V±5%, VDDO = 3.3V±5% or 2.5V±5%, TA = -40°C to 85°C
Item
Rating
Supply Voltage, VCC
4.6V
Inputs, VI
-0.5V to VDD + 0.5V
Outputs, IO (LVCMOS)
-0.5V to VDDO + 0.5V
Package Thermal Impedance,
θ
JA
32 LQFP Package
32 VFQFN Package
47.9
°C/W (0 lfpm)
37
°C/W (0 mps)
Storage Temperature, TSTG
-65
°C to 150°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Minimum
Typical
Maximum
Units
VDD
Core Supply Voltage
3.135
3.3
3.465
V
VDDA
Analog Supply Voltage
3.135
3.3
3.465
V
VDDO
Output Supply Voltage
3.135
3.3
3.465
V
2.375
2.5
2.625
V
IDD
Power Supply Current
125
mA
IDDA
Analog Supply Current
18
mA
IDDO
Output Supply Current
10
mA
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