参数资料
型号: ICS85211AMI-01LF
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 14/14页
文件大小: 0K
描述: IC CLK BUFFER 1:2 700MHZ 8-SOIC
标准包装: 97
系列: HiPerClockS™
类型: 扇出缓冲器(分配)
电路数: 1
比率 - 输入:输出: 1:2
差分 - 输入:输出: 是/是
输入: HCSL,LVDS,LVHSTL,LVPECL,SSTL
输出: HSTL
频率 - 最大: 700MHz
电源电压: 3.135 V ~ 3.465 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
其它名称: 800-2390-5
85211AMI-01LF
ICS85211AMI-01LF-ND
85211AMI-01
www.idt.com
REV. B AUGUST 4, 2010
9
ICS85211I-01
LOW SKEW, 1-TO-2
DIFFERENTIAL-TO-HSTL FANOUT BUFFER
3. Calculations and Equations.
The purpose of this section is to derive the power dissipated into the load.
HSTL output driver circuit and termination are shown in
Figure 4.
To calculate worst case power dissipation into the load, use the following equations which assume a 50
Ω load.
Pd_H is power dissipation when the output drives high.
Pd_L is the power dissipation when the output drives low.
Pd_H = (V
OH_MAX
/R
L
) * (V
DD_MAX
- V
OH_MAX
)
Pd_L = (V
OL_MAX
/R
L
) * (V
DD_MAX
- V
OL_MAX
)
Pd_H = (1.4V/50
Ω) * (3.465V - 1.4V) = 57.82mW
Pd_L = (0.4V/50
Ω) * (3.465V - 0.4V) = 24.52mW
Total Power Dissipation per output pair = Pd_H + Pd_L = 82.34mW
FIGURE 4. HSTL DRIVER CIRCUIT AND TERMINATION
V
DD
V
OUT
RL
50
Ω
Q1
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