参数资料
型号: ICS85411AMLFT
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 4/15页
文件大小: 0K
描述: IC CLK BUFFER 1:2 650MHZ 8-SOIC
标准包装: 2,500
系列: HiPerClockS™
类型: 扇出缓冲器(分配)
电路数: 1
比率 - 输入:输出: 1:2
差分 - 输入:输出: 是/是
输入: HCSL,LVDS,LVHSTL,LVPECL,SSTL
输出: LVDS
频率 - 最大: 650MHz
电源电压: 2.97 V ~ 3.63 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 85411AMLFT
IDT / ICS DIFFERENTIAL-TO-LVDS FANOUT BUFFER
12
ICS85411AM REV. C JANUARY 20, 2009
ICS85411
LOW SKEW, 1-TO-2 DIFFERENTIAL-TO-LVDS FANOUT BUFFER
RELIABILITY INFORMATION
TRANSISTOR COUNT
The transistor count for ICS85411 is: 636
TABLE 6.
θ
JA
VS
. AIR FLOW TABLE FOR 8 LEAD SOIC
θθθθθ
JA
by Velocity (Linear Feet per Minute)
0
200
500
Single-Layer PCB, JEDEC Standard Test Boards
153.3°C/W
128.5°C/W
115.5°C/W
Multi-Layer PCB, JEDEC Standard Test Boards
112.7°C/W
103.3°C/W
97.1°C/W
NOTE: Most modern PCB designs use multi-layered boards. The data in the second row pertains to most designs.
PACKAGE OUTLINE - M SUFFIX FOR 8 LEAD SOIC
TABLE 7. PACKAGE DIMENSIONS
Reference Document: JEDEC Publication 95, MS-012
L
O
B
M
Y
S
s
r
e
t
e
m
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l
i
M
N
U
M
I
N
I
MM
U
M
I
X
A
M
N8
A5
3
.
15
7
.
1
A0
1
.
05
2
.
0
B3
3
.
01
5
.
0
C9
1
.
05
2
.
0
D0
8
.
40
0
.
5
E0
8
.
30
0
.
4
eC
I
S
A
B
7
2
.
1
H0
8
.
50
2
.
6
h5
2
.
00
5
.
0
L0
4
.
07
2
.
1
α
°
8
PACKAGE OUTLINE & DIMENSIONS
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