参数资料
型号: ICS93718CFLFT
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 6/9页
文件大小: 0K
描述: IC CLK BUFF 2:12 200MHZ 48-SSOP
产品变化通告: Product Discontinuation 4/Aug/2011
标准包装: 1,000
类型: 扇出缓冲器(分配)
电路数: 1
比率 - 输入:输出: 2:12
差分 - 输入:输出: 无/是
输入: 时钟
输出: 时钟
频率 - 最大: 200MHz
电源电压: 2.3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 48-BSSOP(0.295",7.50mm 宽)
供应商设备封装: 48-SSOP
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 93718CFLFT
IDTTM/ICSTM DDR and SDRAM Buffer
ICS93718
REV E 02/11/07
ICS93718
DDR and SDRAM Buffer
SEL_DDR = 1 DDR/DDR_SDRAM Outputs VDD=2.5, TA = 0 - 85°C; (unless otherwise stated)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Input High Current
IIH
VI = VDD or GND
110
A
Input Low Current
IIL
VI
= V
DD or GND
-100
-25
A
IDD2.5
CL = 0pf, 133MHz
76
200
mA
IDDPD
CL = 0pf, all
310
mA
Output High Current
IOH
VDD = 2.5V
, V
OUT = 1V
-74.5
-18
mA
Output Low Current
IOL
VDD = 2.5V
, V
OUT =
26
42.5
mA
VDD = 2.5V,
VOH = -12mA
VDD = 2.5V
IOH = 12mA
Output differential-pair crossing
voltage
VOC
(VDD/2) –0.1
1.25
(VDD/2) +0.1
V
Input Capacitance
1
CIN
VI = GND or VDD
2pF
1Guaranteed by design, not 100% tested in production.
V
Low-level output voltage
VOL
0.46
2.3
0.35
Operating Supply Current
High-level output voltage
VOH
1.7
SEL_DDR=1 DDR/DDR_SDRAM Outputs = 2.5V, TA = 0 - 85°C (unless otherwise stated)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
VDD3.3_2.5
2.3
2.5
2.7
VDD2.5
2.3
2.5
2.7
Input High Voltage
VIH
SEL_DDR, PD# input
2.0
V
Input Low Voltage
VIL
SEL_DDR, PD# input
0.8
V
Input voltage level
VIN
VDD
V
1Guaranteed by design, not 100% tested in production.
V
Power Supply Voltage
Electrical Characteristics - Input/Supply/Common Output Parameters
Recommended Operating Condition
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