参数资料
| 型号： | ICTE-10RL4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS 1500W 10V UNIDIRECT AXIAL |
| 产品变化通告： | Specification Update Storage Temp Range 14/Aug/2008 Product Discontinuation 02/Jan/2007 |
| 标准包装： | 1,500 |
| 系列： | Mosorb™ |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 10V |
| 电压 - 击穿： | 11.7V |
| 功率（瓦特）： | 1500W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-201AD，轴向 |
| 供应商设备封装： | 轴向 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
1N6373 - 1N6381 Series (ICTE-5 - ICTE-36)
TYPICAL PROTECTION CIRCUIT
Z in
V in
LOAD
V L
OVERSHOOT DUE TO
V in (TRANSIENT)
V
V in (TRANSIENT)
V
INDUCTIVE EFFECTS
V L
V L
V in
t d
t D = TIME DELAY DUE TO CAPACITIVE EFFECT
Figure 8.
t
http://onsemi.com
5
Figure 9.
t
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ADR821BRMZ-REEL7 | IC OPAMP GP R-R 1MHZ LP 10MSOP |
| 7100.1171.96 | FUSE 4A 250V FAST 19MM PCB T/R |
| 7100.1173.96 | FUSE 6.3A 250V FAST 19MM PCB T/R |
| ICTE-018G | TVS 1500W 18V UNIDIRECT AXIAL |
| 1-5535512-7 | CONN RECEPT 14POS .100 RT/A DUAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ICTE12 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: |
| ICTE-12 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 - RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| ICTE12/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 12V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| ICTE12/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 12V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| ICTE12/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 12V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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