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参数资料
| 型号： | IDT12S60C |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode |
| 中文描述： | 第二代thinQ！碳化硅肖特基二极管 |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 245K |
| 代理商： | IDT12S60C |
IDT12S60C
9 Typ. C stored energy
10 Typ. capacitance charge vs. current slope
E
C
=f(
V
R
)
Q
C
=f(d
i
F
/d
t
)
4)
;
T
j
=150 °C;
I
F
≤
I
F,max
0
10
20
30
40
100
400
700
1000
di
F
/d
t
[A/μs]
Q
c
[
0
5
10
15
0
100
200
300
400
500
600
V
R
[V]
E
c
Rev. 2.0
page 5
2006-03-14
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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