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参数资料
| 型号： | IDT23S09E-1DCGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CLK BUFF ZD 16SOIC |
| 标准包装： | 48 |
| 类型： | 零延迟缓冲器 |
| PLL： | 带旁路 |
| 输入： | LVTTL |
| 输出： | LVTTL |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 1:9 |
| 差分 - 输入:输出： | 无/无 |
| 频率 - 最大： | 200MHz |
| 除法器/乘法器： | 无/无 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 23S09E-1DCGI 800-1331 800-1331-5 800-1331-ND |
4
COMMERCIALANDINDUSTRIALTEMPERATURERANGES
IDT23S09E
3.3VZERODELAYCLOCKBUFFER
SWITCHING CHARACTERISTICS (23S09E-1H) - COMMERCIAL(1,2)
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t1
OutputFrequency
10pFLoad
10
—
200
MHz
30pFLoad
10
—
100
Duty Cycle = t2
÷ t1
Measured at 1.4V, FOUT = 66.66MHz
40
50
60
%
Duty Cycle = t2
÷ t1
Measured at 1.4V, FOUT <50MHz
45
50
55
%
t3
Rise Time
Measured between 0.8V and 2V
—
1.5
ns
t4
Fall Time
Measured between 0.8V and 2V
—
1.5
ns
t5
Output to Output Skew
Alloutputsequallyloaded
—
250
ps
t6A
Delay, REF Rising Edge to CLKOUT Rising Edge
Measured at VDD/2
—
0
±350
ps
t6B
Delay, REF Rising Edge to CLKOUT Rising Edge
Measured at VDD/2 in PLL bypass mode (IDT23S09E only)
1
5
8.7
ns
t7
Device-to-Device Skew
Measured at VDD/2 on the CLKOUT pins of devices
—
0
700
ps
t8
Output Slew Rate
Measured between 0.8V and 2V using Test Circuit 2
1
—
V/ns
tJ
Cycle-to-Cycle Jitter
Measured at 66.66MHz, loaded outputs
—
200
ps
tLOCK
PLL Lock Time
Stable power supply, valid clock presented on REF pin
—
1
ms
NOTES:
1. REF Input has a threshold voltage of VDD/2.
2. All parameters specified with loaded outputs.
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS - INDUSTRIAL
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Max.
Unit
VIL
InputLOWVoltageLevel
—
0.8
V
VIH
Input HIGH Voltage Level
2
—
V
IIL
InputLOWCurrent
VIN = 0V
—
50
A
IIH
Input HIGH Current
VIN = VDD
—
100
A
VOL
OutputLOWVoltage
StandardDrive
IOL = 8mA
—
0.4
V
High Drive
IOL = 12mA (-1H)
VOH
Output HIGH Voltage
StandardDrive
IOH = -8mA
2.4
—
V
High Drive
IOH = -12mA (-1H)
IDD_PD
Power Down Current
REF = 0MHz (S2 = S1 = H)
—
25
A
IDD
SupplyCurrent
Unloaded Outputs at 66.66MHz, SEL inputs at VDD or GND
—
35
mA
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
VDD
SupplyVoltage
3
3.6
V
TA
OperatingTemperature(AmbientTemperature)
-40
+85
°C
CL
Load Capacitance < 100MHz
—
30
pF
Load Capacitance 100MHz - 200MHz
—
10
CIN
InputCapacitance
—
7
pF
OPERATING CONDITIONS - INDUSTRIAL
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MS27656T25B35H | CONN RCPT 128POS WALL MNT W/PINS |
| VE-2N3-MW-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 24V 100W |
| VE-2N2-MW-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 15V 100W |
| TXB0102YZPR | IC VOLT TRANSLATOR 2BIT 8-DSBGA |
| VE-2N2-MW-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 15V 100W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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