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参数资料
| 型号： | IDT7006L15PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 15NS 64TQFP |
| 标准包装： | 45 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 128K (16K x 8) |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7006L15PF |
IDT7006S/L
High-Speed 16K x 8 Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the 0perating
Temperature and Supply Voltage Range (V CC = 5.0V ± 10%)
7006S
7006L
Input Leakage Current
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
(1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V CC = 5.5V, V IN = 0V to V CC
CE = V IH , V OUT = 0V to V CC
I OL = 4mA
I OH = -4mA
Min.
___
___
___
2.4
Max.
10
10
0.4
___
Min.
___
___
___
2.4
Max.
5
5
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
NOTE:
1. At Vcc < 2.0V input leakages are undefined.
Data Retention Characteristics Over All Temperature Ranges
(L Version Only) (V LC = 0.2V, V HC = V CC - 0.2V)
2739 tbl 08
Symbol
V DR
Parameter
V CC for Data Retention
V CC = 2 V
Test Condition
Min.
2.0
Typ.
___
(1)
Max.
___
Unit
V
I CCDR
Data Retention Current
CE > V HC
Mil. & Ind.
___
100
4000
μA
V IN > V HC or < V LC
Com'l.
___
100
1500
t CDR (3)
t R (3)
Chip Deselect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
SEM > V HC
0
t RC (2)
___
___
___
___
ns
ns
NOTES:
1. T A = +25°C, V CC = 2V, and are not production tested.
2. t RC = Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed by characterization, but is not production tested.
Data Retention Waveform
DATA RETENTION MODE
2739 tbl 09
V CC
CE
4.5V
t CDR
V IH
V DR > 2V
V DR
4.5V
t R
V IH
2739 drw 05
5
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HSC28DTEN | CONN EDGECARD 56POS .100 EYELET |
| IDT7025L15PFG | IC SRAM 128KBIT 15NS 100TQFP |
| HSC28DTEH | CONN EDGECARD 56POS .100 EYELET |
| IDT7006L15PFG | IC SRAM 128KBIT 15NS 64TQFP |
| ACB120DHBN | CONN EDGECARD 240PS R/A .050 DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7006L15PF8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 15NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT7006L15PFB | 制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7006L15PFG | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 15NS 64TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7006L15PFG8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 15NS 64TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT7006L17F | 制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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