- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4015 > IDT7006L35J (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 128KBIT 35NS 68PLCC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT7006L35J |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 35NS 68PLCC |
| 标准包装： | 18 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 128K (16K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 68-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 68-PLCC（24x24） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 7006L35J |
HIGH-SPEED
16K x 8 DUAL-PORT
STATIC RAM
IDT7006S/L
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
High-speed access
Features
◆
reads of the same memory location
◆
– Military: 20/25/35/55/70ns (max.)
◆
◆
◆
◆
M/ S = H for BUSY output flag on Master,
M/ S = L for BUSY input on Slave
Busy and Interrupt Flags
On-chip port arbitration logic
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
◆
◆
– Industrial: 55ns (max.)
– Commercial: 15/17/20/25/35/55ns (max.)
Low-power operation
– IDT7006S
Active: 750mW (typ.)
Standby: 5mW (typ.)
– IDT7006L
Active: 700mW (typ.)
Standby: 1mW (typ.)
IDT7006 easily expands data bus width to 16 bits or more
using the Master/Slave select when cascading more than
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
between ports
Fully asynchronous operation from either port
Devices are capable of withstanding greater than 2001V
electrostatic discharge
Battery backup operation—2V data retention
TTL-compatible, single 5V (±10%) power supply
Available in 68-pin PGA, quad flatpack, PLCC, and a 64-pin
TQFP
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Green parts available, see ordering information
one device
Functional Block Diagram
BUSY L
OE L
CE L
R/ W L
I/O 0L - I/O 7L
(1,2)
I/O
Control
I/O
Control
OE R
CE R
R/ W R
I/O 0R -I/O 7R
BUSY R (1,2)
A 13L
A 0L
Address
Decoder
MEMORY
ARRAY
Address
Decoder
A 13R
A 0R
14
14
INT L
INT R
SEM L
(2)
CE L
OE L
R/ W L
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
M/S
CE R
OE R
R/ W R
SEM R
(2)
2739 drw 01
NOTES:
1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.
2. BUSY outputs and INT outputs are non-tri-stated push-pull.
?2008 Integrated Device Technology, Inc.
1
OCTOBER 2008
DSC- 2739/16
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7006L25J | IC SRAM 128KBIT 25NS 68PLCC |
| IDT7006L20J | IC SRAM 128KBIT 20NS 68PLCC |
| IDT71T75902S75BG | IC SRAM 18MBIT 75NS 119BGA |
| IDT71T75802S200BGG | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 119BGA |
| IDT71T75802S200BG | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 119BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7006L35J8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT7006L35JB | 制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7006L35L68 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x8 Dual-Port SRAM |
| IDT7006L35PF | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT7006L35PF8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。