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参数资料
| 型号： | IDT7006S45J |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 45NS 68PLCC |
| 标准包装： | 18 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 128K (16K x 8) |
| 速度： | 45ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 68-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 68-PLCC（24x24） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 7006S45J |
IDT7006S/L
High-Speed 16K x 8 Dual-Port Static RAM
Waveform of Read Cycles (5)
ADDR
t AA (4)
t RC
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
CE
t ACE (4)
t AOE (4)
OE
R/ W
VALID DATA
DATA OUT
t LZ (1)
(4)
t OH
t HZ (2)
BUSY OUT
t BDD (3,4)
2739 drw 07
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last, OE or CE .
2. Timing depends on which signal is de-asserted first CE or OE .
3. t BDD delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations BUSY
has no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t AOE , t ACE , t AA or t BDD .
5. SEM = V IH .
Timing of Power-Up Power-Down
CE
I CC
I SB
t PU
8
t PD
2739 drw 08
,
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMC44DRYI | CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD |
| IDT7006S35J | IC SRAM 128KBIT 35NS 68PLCC |
| ASC25DTES | CONN EDGECARD 50POS .100 EYELET |
| AMC25DTES | CONN EDGECARD 50POS .100 EYELET |
| IDT7006S25J | IC SRAM 128KBIT 25NS 68PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7006S45J8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 45NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT7006S45L68 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x8 Dual-Port SRAM |
| IDT7006S45L68B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x8 Dual-Port SRAM |
| IDT7006S45PF | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x8 Dual-Port SRAM |
| IDT7006S45XL | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x8 Dual-Port SRAM |
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