- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4023 > IDT7007L20PFI8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 256KBIT 20NS 80TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT7007L20PFI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 20NS 80TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 80-LQFP |
| 供应商设备封装： | 80-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 7007L20PFI8 |
IDT7007S/L
High-Speed 32K x 8 Dual-Port Static RAM
Waveform of Read Cycles (5)
ADDR
t RC
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
CE
(4)
t AA
(4)
t ACE
OE
R/ W
t AOE
(4)
DATA OUT
t LZ
(1)
VALID DATA
(4)
t OH
t HZ (2)
BUSY OUT
t BDD (3,4)
2940 drw 07
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last, OE or CE .
2. Timing depends on which signal is de-asserted first CE or OE .
3. t BDD delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations BUSY
has no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t AOE , t ACE , t AA or t BDD .
5. SEM = V IH .
Timing of Power-Up Power-Down
CE
I CC
t PU
t PD
I SB
50%
50%
,
2940 drw 08
9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7007L15PF8 | IC SRAM 256KBIT 15NS 80TQFP |
| IDT70V26S35J8 | IC SRAM 256KBIT 35NS 84PLCC |
| IDT70V26S25J8 | IC SRAM 256KBIT 25NS 84PLCC |
| 046288012000846+ | CONN FFC/FPC 12POS .5MM R/A SMD |
| 006200510130000+ | CONN FFC/FPC 10POS 1MM R/A SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7007L25G | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 68PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT7007L25GB | 制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:HIGH-SPEED 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7007L25GI | 制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:HIGH-SPEED 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7007L25J | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7007L25J8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。