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参数资料
| 型号： | IDT7014S15PFI |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 4K x 9DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 4K X 9 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQFP64 |
| 封装： | TQFP-64 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | IDT7014S15PFI |
6.42
IDT7014S/L
High-Speed 4K x 9 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
#$
"
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUMRATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximumrating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V
TERM
must not exceed Vcc + 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum and is limted to < 20mA for the period of V
TERM
> Vcc + 10%.
$%&
'()*
"
''%
'
NOTES:
1. V
IL
> -1.5V for pulse width less than 10ns.
2. V
TERM
must not exceed Vcc + 10%.
NOTES:
1. This is the parameter T
A
.
+,%-,%
&'()*
"
*
./0*12"
NOTE:
1. At V
CC
< 2.0V input leakages are undefined.
Symbol
Rating
Commercial
& Industrial
Unit
V
TERM
(2)
Termnal Voltage
with Respect
to GND
-0.5 to +7.0
V
V
TERM
(2)
Termnal Voltage
-0.5 to +V
CC
V
T
BIAS
Temperature
Under Bias
-55 to +125
o
C
T
STG
Storage
Temperature
-55 to +125
o
C
I
OUT
DC Output
Current
50
mA
2528 tbl 01
Grade
Ambient
Temperature
GND
Vcc
Commercial
0
O
C to +70
O
C
0V
5.0V
+
10%
Industrial
-40
O
C to +85
O
C
0V
5.0V
+
10%
2528 tbl 02
Symbol
Parameter
Mn.
Typ.
Max.
Unit
V
CC
Supply Voltage
4.5
5.0
5.5
V
GND
Ground
0
0
0
V
V
IH
Input High Voltage
2.2
____
6.0
(2)
V
V
IL
Input Low Voltage
-0.5
(1)
____
0.8
V
2528 tbl 03
Symbol
Parameter
Test Conditions
7014S
Unit
Mn.
Max.
|
LI
|
Input Leakage Current
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V to V
CC
___
10
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
V
OUT
= 0V to V
CC
___
10
μA
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= +4mA
___
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -4mA
2.4
___
V
2528 tbl 04
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