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参数资料
| 型号： | IDT7014S20JI |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 4K x 9DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 4K X 9 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQCC52 |
| 封装： | 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | IDT7014S20JI |
6.42
IDT7014S/L
High-Speed 4K x 9 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
+,%-,
%&'()*
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is determned by device characterization, but is not production tested.
7014S12
Com'l Only
7014S15
Com'l & Ind
Unit
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Mn.
Max.
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
12
____
15
____
ns
t
AA
Address Access Time
____
12
____
15
ns
t
AOE
Output Enable Access Time
____
8
____
8
ns
t
OH
Output Hold fromAddress Change
3
____
3
____
ns
t
LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
7
____
7
ns
2528 tbl 08a
7014S20
Com'l & Ind
7014S25
Com'l & Ind
Unit
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Mn.
Max.
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
20
____
25
____
ns
t
AA
Address Access Time
____
20
____
25
ns
t
AOE
Output Enable Access Time
____
10
____
12
ns
t
OH
Output Hold fromAddress Change
3
____
3
____
ns
t
LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
9
____
11
ns
2528 tbl 08b
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PDF描述 |
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