参数资料
型号: IDT7014S20PFI
厂商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分类: DRAM
英文描述: HIGH-SPEED 4K x 9DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述: 4K X 9 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP64
封装: 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64
文件页数: 5/9页
文件大小: 89K
代理商: IDT7014S20PFI
6.42
IDT7014S/L
High-Speed 4K x 9 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
+,%-,
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NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is determned by device characterization, but is not production tested.
7014S12
Com'l Only
7014S15
Com'l & Ind
Unit
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Mn.
Max.
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
12
____
15
____
ns
t
AA
Address Access Time
____
12
____
15
ns
t
AOE
Output Enable Access Time
____
8
____
8
ns
t
OH
Output Hold fromAddress Change
3
____
3
____
ns
t
LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
7
____
7
ns
2528 tbl 08a
7014S20
Com'l & Ind
7014S25
Com'l & Ind
Unit
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Mn.
Max.
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
20
____
25
____
ns
t
AA
Address Access Time
____
20
____
25
ns
t
AOE
Output Enable Access Time
____
10
____
12
ns
t
OH
Output Hold fromAddress Change
3
____
3
____
ns
t
LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
9
____
11
ns
2528 tbl 08b
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