- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4026 > IDT7016S15PF (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 144KBIT 15NS 80TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT7016S15PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 144KBIT 15NS 80TQFP |
| 标准包装： | 45 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 144K（16K x 9） |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 80-LQFP |
| 供应商设备封装： | 80-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7016S15PF |
IDT7016S/L
Capacitance
High-Speed 16K x 9 Dual-Port Static RAM
(1)
(T A = +25°C, f = 1.0mhz, for TQFP ONLY)
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Symbol
C IN
C OUT
Parameter
Input Capacitance
Output Capacitance
Conditions (2)
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
9
10
Unit
pF
pF
NOTES:
3190 tbl 07
1. This parameter is determined by device characteristics but is not production
tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output signals
switch from 0V to 3V or from 3V to 0V .
DC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (V CC = 5.0V ± 10%)
7016S
7016L
Input Leakage Current
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
(1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V CC = 5.5V, V IN = 0V to V CC
CE = V IH , V OUT = 0V to V CC
I OL = +4mA
I OH = -4mA
Min.
___
___
___
2.4
Max.
10
10
0.4
___
Min.
___
___
___
2.4
Max.
5
5
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
NOTE:
1. At Vcc < 2.0V, Input leakages are undefined.
Output Loads and AC Test
Conditions
3190 tbl 08
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
3ns Max.
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
3190 tbl 09
DATA OUT
BUSY
5V
893 ?
DATA OUT
5V
893 ?
INT
347 ?
30pF
347 ?
5pF*
,
3190 drw 06
Figure 1. AC Output Test Load
5
6.42
Figure 2. Output Test Load
(for t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
*Including scope and jig.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7006S17PF | IC SRAM 128KBIT 17NS 64TQFP |
| IDT7006S15PF | IC SRAM 128KBIT 15NS 64TQFP |
| IDT71T75602S150PFGI | IC SRAM 18MBIT 150MHZ 100TQFP |
| IDT71T75602S133PFGI | IC SRAM 18MBIT 133MHZ 100TQFP |
| IDT70V26S55J8 | IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7016S15PF8 | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 15NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT7016S15PFB | 制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:HIGH-SPEED 16K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7016S15PFG | 制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7016S15PFGB | 制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7016S15PFGI | 制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。