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参数资料
| 型号： | IDT7019L15PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1.125MBIT 15NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 1.125M（128K x 9） |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7019L15PF |
HIGH-SPEED
128K x 9 DUAL-PORT
STATIC RAM
IDT7019L
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
Features
◆
than one device
reads of the same memory location
◆
M/ S = V IH for BUSY output flag on Master,
◆
High-speed access
M/ S = V IL for BUSY input on Slave
– Commercial: 15/20ns (max.)
– Industrial: 20ns (max.)
◆
◆
Interrupt Flag
On-chip port arbitration logic
◆
◆
◆
Low-power operation
– IDT7019L
Active: 1W (typ.)
Standby: 1mW (typ.)
Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
IDT7019 easily expands data bus width to 18 bits or
more using the Master/Slave select when cascading more
◆
◆
◆
◆
◆
◆
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
Fully asynchronous operation from either port
TTL-compatible, single 5V (±10%) power supply
Available in a 100-pin TQFP
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
R/ W L
CE 0L
CE 1L
OE L
R/ W R
CE 0R
CE 1R
OE R
BUSY L
BUSY R
I/O 0-8L
(1,2)
I/O
Control
I/O
Control
I/O 0-8R
(1,2)
A 16L
A 0L
Address
Decoder
128Kx9
MEMORY
ARRAY
7019
Address
Decoder
A 16R
A 0R
17
17
INT L
M/ S
INT R
SEM L
(2)
NOTES:
CE 0L
CE 1L
OE L
R/ W L
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
(1)
CE 0R
CE 1R
OE R
R/ W R
SEM R
(2)
4840 drw 01
1. BUSY is an input as a Slave (M/ S = V IL ) and an output when it is a Master (M/ S = V IH ).
2. BUSY and INT are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).
?2013 Integrated Device Technology, Inc.
1
SEPTEMBER 2013
DSC-4840/5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT7019L20PF | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7019L20PF8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7019L20PFI | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT7019L20PFI8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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