参数资料
型号: IDT7024L20PFGI8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 9/22页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 64KBIT 20NS 100TQFP
标准包装: 750
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 64K(4K x 16)
速度: 20ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 7024L20PFGI8
IDT7024S/L
High-Speed 4K x 16 Dual-Port Static RAM
Waveform of Read Cycles (5)
ADDR
t RC
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
t AA
(4)
CE
OE
t ACE
t AOE
(4)
(4)
UB , LB
R/ W
t ABE
(4)
DATA OUT
t LZ (1)
(4)
VALID DATA
t OH
t HZ (2)
BUSY OUT
t BDD
(3,4)
2740 drw 07
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last, CE , OE , LB , or UB .
2. Timing depends on which signal is de-asserted first, CE , OE , LB , or UB .
3. t BDD delay is required only in cases where opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations BUSY has
no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t ABE , t AOE , t ACE , t AA or t BDD .
5. SEM = V IH .
Timing of Power-Up Power-Down
CE
I CC
I SB
t PU
9
6.42
t PD
2740 drw 08
,
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PDF描述
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参数描述
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