参数资料
型号: IDT7024L55G
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 9/22页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 64KBIT 55NS 84PGA
标准包装: 3
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 64K(4K x 16)
速度: 55ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 84-BPGA
供应商设备封装: 84-PGA(27.94x27.94)
包装: 托盘
其它名称: 7024L55G
IDT7024S/L
High-Speed 4K x 16 Dual-Port Static RAM
Waveform of Read Cycles (5)
ADDR
t RC
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
t AA
(4)
CE
OE
t ACE
t AOE
(4)
(4)
UB , LB
R/ W
t ABE
(4)
DATA OUT
t LZ (1)
(4)
VALID DATA
t OH
t HZ (2)
BUSY OUT
t BDD
(3,4)
2740 drw 07
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last, CE , OE , LB , or UB .
2. Timing depends on which signal is de-asserted first, CE , OE , LB , or UB .
3. t BDD delay is required only in cases where opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations BUSY has
no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t ABE , t AOE , t ACE , t AA or t BDD .
5. SEM = V IH .
Timing of Power-Up Power-Down
CE
I CC
I SB
t PU
9
6.42
t PD
2740 drw 08
,
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PDF描述
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