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参数资料
| 型号： | IDT7024S17PF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 10/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 64KBIT 17NS 100TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 64K（4K x 16） |
| 速度： | 17ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 7024S17PF8 |
IDT7024S/L
High-Speed 4K x 16 Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage (5)
7024X15
Com'l Only
7024X17
Com'l Only
7024X20
Com'l, Ind
& Military
7024X25
Com'l &
Military
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
WRITE CYCLE
t WC
Write Cycle Time
15
____
17
____
20
____
25
____
ns
t EW
Chip Enable to End-of-Write
(3)
12
____
12
____
15
____
20
____
ns
t AW
Address Valid to End-of-Write
12
____
12
____
15
____
20
____
ns
t AS
Address Set-up Time
(3)
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t WP
t WR
t DW
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data Valid to End-of-Write
12
0
10
____
____
____
12
0
10
____
____
____
15
0
15
____
____
____
20
0
15
____
____
____
ns
ns
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
10
____
10
____
12
____
15
ns
t DH
Data Hold Time
(4)
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
Write Enab le to Output in High-Z
t WZ
t OW
t SWRD
t SPS
(1,2)
Output Active from End-of-Write (1,2,4)
SEM Flag Write to Read Time
SEM Flag Contention Window
____
0
5
5
10
____
____
____
____
0
5
5
10
____
____
____
____
0
5
5
12
____
____
____
____
0
5
5
15
____
____
____
ns
ns
ns
ns
2740 tbl 13a
7024X35
Com'l &
Military
7024X55
Com'l, Ind
& Military
7024X70
Military Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
WRITE CYCLE
t WC
Write Cycle Time
35
____
55
____
70
____
ns
t EW
Chip Enable to End-of-Write
(3)
30
____
45
____
50
____
ns
t AW
t AS
t WP
t WR
t DW
Address Valid to End-of-Write
Address Set-up Time (3)
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data Valid to End-of-Write
30
0
25
0
15
____
____
____
____
____
45
0
40
0
30
____
____
____
____
____
50
0
50
0
40
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
15
____
25
____
30
ns
t DH
t WZ
Data Hold Time (4)
Write Enab le to Output in High-Z (1,2)
0
____
____
15
0
____
____
25
0
____
____
30
ns
ns
t OW
t SWRD
t SPS
Output Active from End-of-Write
SEM Flag Write to Read Time
SEM Flag Contention Window
(1,2,4)
0
5
5
____
____
____
0
5
5
____
____
____
0
5
5
____
____
____
ns
ns
ns
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM, CE = V IL , UB or LB = V IL , SEM = V IH . To access semaphore, CE = V IH or UB & LB = V IH , and SEM = V IL .
Either condition must be valid for the entire t EW time.
4. The specification for t DH must be met by the device supplying write data to the RAM under all operating conditions. Although t DH
and t OW values will vary over voltage and temperature, the actual t DH will always be smaller than the actual t OW .
5. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
10
6.42
2740 tbl 13b
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