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参数资料
| 型号： | IDT7025L15PF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 15NS 100TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 128K（8K x 16） |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 7025L15PF8 |
IDT7025S/L
High-Speed 8K x 16 Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (4)
7025X15
Com'l Only
7025X17
Com'l Only
7025X20
Com'l, Ind
& Military
7025X25
Com'l &
Military
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
Read Cycle Time
Address Access Time
15
____
____
15
17
____
____
17
20
____
____
20
25
____
____
25
ns
ns
t ACE
Chip Enable Access Time
(3)
____
15
____
17
____
20
____
25
ns
t ABE
Byte Enable Access Time (3)
____
15
____
17
____
20
____
25
ns
t AOE
Output Enable Access Time
(3)
____
10
____
10
____
12
____
13
ns
t OH
Output Hold from Address Change
3
____
3
____
3
____
3
____
ns
t LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
3
____
3
____
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
10
____
10
____
12
____
15
ns
t PU
Chip Enable to Power Up Time
(1,2)
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t PD
Chip Disable to Power Down Time
(1,2)
____
15
____
17
____
20
____
25
ns
t SOP
Semaphore Flag Update Pulse ( OE or SEM )
10
____
10
____
10
____
10
____
ns
t SAA
Semaphore Address Access
(3)
____
15
____
17
____
20
____
25
ns
2683 tbl 12a
7025X35
Com'l &
Military
7025X55
Com'l, Ind
& Military
7025X70
Military Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
t ACE
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Enable Access Time (3)
35
____
____
____
35
35
55
____
____
____
55
55
70
____
____
____
70
70
ns
ns
ns
t ABE
Byte Enable Access Time
(3)
____
35
____
55
____
70
ns
t AOE
Output Enable Access Time
(3)
____
20
____
30
____
35
ns
t OH
Output Hold from Address Change
3
____
3
____
3
____
ns
t LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
3
____
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
15
____
25
____
30
ns
t PU
Chip Enable to Power Up Time (1,2)
0
____
0
____
0
____
ns
t PD
Chip Disable to Power Down Time
(1,2)
____
35
____
50
____
50
ns
t SOP
t SAA
Semaphore Flag Update Pulse ( OE or SEM )
Semaphore Address Access (3)
15
____
____
35
15
____
____
55
15
____
____
70
ns
ns
2683 tbl 12b
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterazation, but is not production tested.
3. To access RAM, CE = V IL , UB or LB = V IL , and SEM = V IH . To access semephore, CE = V IH or UB & LB = V IH , and SEM = V IL .
4. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
9
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