- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4017 > IDT7025L17J (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 128KBIT 17NS 84PLCC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT7025L17J |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 15/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 17NS 84PLCC |
| 标准包装： | 15 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 128K（8K x 16） |
| 速度： | 17ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 84-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 84-PLCC（29.21x29.21） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 7025L17J |
IDT7025S/L
High-Speed 8K x 16 Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write Port-to-Port Read and BUSY (2,4,5) (M/ S = V IH )
t WC
ADDR "A"
MATCH
t WP
R/ W "A"
DATA IN "A"
t DW
VALID
t DH
ADDR "B"
t APS
(1)
MATCH
BUSY "B"
t BAA
t WDD
t BDA
t BDD
DATA OUT "B"
NOTES:
t DDD
(3)
VALID
2683 drw 13
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. t APS is ignored for M/ S = V IL (slave).
2. CE L = CE R = V IL .
3. OE = V IL for the reading port.
4. If M/ S = V IL (SLAVE), then BUSY is an input. Therefore in this example BUSY "A" = V IH and BUSY "B" input is shown.
5. All timing is the same for left and right ports. Port "A" may be either the left of right port. Port "B" is the opposite port from Port "A".
Timing Waveform of Write with BUSY
t WP
R/ W "A"
BUSY "B"
t WB (3)
R/ W "B"
(2)
t WH
(1)
NOTES:
1. t WH must be met for both BUSY input (slave) output master.
2. BUSY is asserted on port "B" Blocking R/ W "B" , until BUSY "B" goes HIGH.
3. t WB is only for the 'Slave' Version .
15
6.42
2683 drw 14
.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7025L15JG | IC SRAM 128KBIT 15NS 84PLCC |
| IDT7025L15J | IC SRAM 128KBIT 15NS 84PLCC |
| IDT7016L20JI | IC SRAM 144KBIT 20NS 68PLCC |
| FMC43DRAI | CONN EDGECARD 86POS R/A .100 SLD |
| AMC65DRYI-S734 | CONN EDGECARD 130PS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7025L17J8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 17NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT7025L17PF | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 17NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7025L17PF8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 17NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT7025L20FB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Async Dual 5V 128K-Bit 8K x 16 20ns 84-Pin FPAK Tray |
| IDT7025L20G | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 20NS 84PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。