参数资料
型号: IDT7025L45J
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 10/22页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 128KBIT 45NS 84PLCC
标准包装: 15
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 128K(8K x 16)
速度: 45ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 84-LCC(J 形引线)
供应商设备封装: 84-PLCC(29.21x29.21)
包装: 管件
其它名称: 7025L45J
IDT7025S/L
High-Speed 8K x 16 Dual-Port Static RAM
Waveform of Read Cycles (5)
ADDR
t RC
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
t AA
CE
(4)
(4)
t ACE
OE
t AOE
(4)
UB , LB
R/ W
t ABE
(4)
DATA OUT
BUSY OUT
t LZ
(1)
VALID DATA
(4)
t OH
(2)
t HZ
t BDD
(3,4)
2683 drw 07
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last, OE , CE , LB , or UB .
2. Timing depends on which signal is de-asserted first, CE , OE , LB , or UB .
3. t BDD delay is required only in case where opposite port is completing a write operation to the same address location for simultaneous read operations BUSY
has no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t ABE , t AOE , t ACE , t AA or t BDD .
5. SEM = V IH .
Timing of Power-Up Power-Down
CE
I CC
t PU
t PD
I SB
50%
10
6.42
50%
2683 drw 08
.
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PDF描述
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参数描述
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