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参数资料
| 型号： | IDT7025S25PF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 25NS 100TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 128K（8K x 16） |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 7025S25PF8 |
IDT7025S/L
High-Speed 8K x 16 Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Data Retention Characteristics Over All Temperature Ranges
(L Version Only)
Symbol
V DR
Parameter
V CC for Data Retention
V CC = 2V
Test Condition
Min.
2.0
Typ. (1)
___
Max.
___
Unit
V
I CCDR
Data Retention Current
CE > V HC
MIL. & IND.
___
100
4000
μA
V IN > V HC or < V LC
COM'L.
___
100
1500
t R
t RC
t CDR (3)
(3)
Chip Dese lect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
SEM > V HC
0
(2)
___
___
___
___
ns
ns
NOTES:
1. T A = +25°C, V CC = 2V, and are not production tested.
2. t RC = Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
4. At Vcc < 2.0V input leakages are undefined.
Data Retention Waveform
DATA RETENTION MODE
2683 tbl 10
V CC
CE
4.5V
t CDR
V IH
V DR ≥ 2V
V DR
4.5V
t R
V IH
2683 drw 05
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
5ns Max.
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
2683 tbl 11
DATA OUT
BUSY
5V
893 ?
DATA OUT
5V
893 ?
INT
347 ?
30pF
347 ?
5pF*
2683 drw 06
Figure 1. AC Output Test Load
8
6.42
Figure 2. Output Test Load
(for t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
* including scope and jig.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPC5200CBV400R2 | IC MPU 32BIT 400MHZ 272-PBGA |
| IDT7025S20PF8 | IC SRAM 128KBIT 20NS 100TQFP |
| FMC26DREH | CONN EDGECARD 52POS .100 EYELET |
| IDT7016S35PF8 | IC SRAM 144KBIT 35NS 80TQFP |
| XF2J-1224-11A | CONN FPC 12POS 0.5MM PITCH SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7025S30G | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 30NS 84PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT7025S30J | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 30NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT7025S30J8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 30NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT7025S35FB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 84FLATPAK |
| IDT7025S35G | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 84PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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