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参数资料
| 型号： | IDT70261S25PF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K（16K x 16） |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70261S25PF8 |
IDT70261S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM with Interrupt
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1) (V CC = 5.0V ± 10%)
70261X15
Com'l Only
70261X20
Com'l & Ind
70261X25
Com'l & Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Unit
I CC
Dynamic Operating Current
(Both Ports Active)
CE = V IL , Outputs Disabled
SEM = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
IND
S
L
S
190
190
____
325
285
____
180
180
____
315
275
____
170
170
170
305
265
345
mA
L
____
____
180
315
____
____
I SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL Level
Inputs)
CE L = CE R = V IH
SEM R = SEM L = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
IND
S
L
S
35
35
____
95
70
____
30
30
____
85
60
____
25
25
25
85
60
100
mA
L
____
____
30
80
____
____
I SB2
Standby Current
(One Port - TTL Level Inputs)
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH (5)
Active Port Outputs Disabled,
f=f MAX (3)
SEM R = SEM L = V IH
COM'L
IND
S
L
S
125
125
____
220
190
____
115
115
____
210
180
____
105
105
105
200
170
230
mA
L
____
____
115
210
____
____
I SB3
I SB4
Full Standby Current (Both
Ports - All CMOS Level
Inputs)
Full Standby Current
(One Port - All CMOS Level
Inputs)
Both Ports CE L and
CE R > V CC - 0.2V
V IN > V CC - 0.2V or
V IN < 0.2V, f = 0 (4)
SEM R = SEM L > V CC - 0.2V
CE "A" < 0.2V and
CE "B" > V CC - 0.2V (5)
SEM R = SEM L > V CC - 0.2V
COM'L
IND
COM'L
S
L
S
L
S
L
1.0
0.2
____
____
120
120
15
5
____
____
195
170
1.0
0.2
____
0.2
110
110
15
5
____
10
185
160
1.0
0.2
1.0
____
100
100
15
5
30
____
170
145
mA
mA
V IN > V CC - 0.2V or V IN < 0.2V
Active Port Outputs Disabled
f = f MAX (3)
IND
S
L
____
____
____
____
____
110
____
185
100
____
200
____
3039 tbl 10
70261X35
Com'l Only
70261X55
Com'l Only
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Unit
I CC
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
CE = V IL , Outputs Disabled
SEM = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
IND
S
L
S
160
160
____
295
255
____
150
150
____
270
230
____
mA
mA
L
____
____
____
____
I SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL Level
Inputs)
CE L = CE R = V IH
SEM R = SEM L = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
IND
S
L
S
20
20
____
85
60
____
13
13
____
85
60
____
mA
mA
L
____
____
____
____
I SB2
I SB3
I SB4
Standby Current
(One Port - TTL Level
Inputs)
Full Standby Current
(Both Ports - All CMOS
Level Inputs)
Full Standby Current
(One Port - All CMOS
Level Inputs)
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH (5)
Active Port Outputs Disabled,
f=f MAX (3)
SEM R = SEM L = V IH
Both Ports CE L and
CE R > V CC - 0.2V
V IN > V CC - 0.2V or
V IN < 0.2V, f = 0 (4)
SEM R = SEM L > V CC - 0.2V
CE "A" < 0.2V and
CE "B" > V CC - 0.2V (5)
SEM R = SEM L > V CC - 0.2V
V IN > V CC - 0.2V or V IN < 0.2V
Active Port Outputs Disabled
f=f MAX (3)
COM'L
IND
COM'L
IND
COM'L
IND
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
95
95
____
____
1.0
0.2
____
____
90
90
____
____
185
155
____
____
15
5
____
____
160
135
____
____
85
85
____
____
1.0
0.2
____
____
80
80
____
____
165
135
____
____
15
5
____
____
135
110
____
____
mA
mA
mA
mA
mA
mA
NOTES:
1. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
2. V CC = 5V, T A = +25°C, and are not production tested. I CCDC = 120mA (Typ.)
3. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/t RC , and using
“AC Test Conditions” of input levels of GND to 3V.
4. f = 0 means no address or control lines change.
5. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
5
6.42
3039 tbl 11
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PDF描述 |
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| IDT70261S25PFI8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70261S35PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70261S35PF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70261S55PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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