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参数资料
| 型号： | IDT7027S20PF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 512K (32K x 16) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 7027S20PF8 |
IDT7027S/L
High-Speed 32K x 16 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Absolute Maximum Ratings (1,3)
Symbol Rating Commercial Military
& Industrial
Unit
Maximum Operating
Temperature and Supply Voltage (1)
Ambient
V TERM (2)
Terminal Voltage
-0.5 to +7.0
-0.5 to +7.0
V
Grade
Temperature
GND
Vcc
-55 C to+125 C
with Respect
to GND
Military
O O
0V
5.0V + 10%
T BIAS
Temperature
-55 to +125
-65 to +135
o
C
Commercial
0 O C to +70 O C
0V
5.0V + 10%
Under Bias
Industrial
-40 O C to +85 O C
0V
5.0V + 10%
T STG
Storage
-65 to +150
-65 to +150
o
C
3199 tbl 06
Temperature
NOTES:
1. This is the parameter T A . This is the "instant on" case temperature.
I OUT
DC Output
50
50
mA
Current
NOTES:
3199 tbl 05
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure
to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect
reliability.
Capacitance (1)
(T A = +25°C, f = 1.0mhz) TQFP ONLY
Symbol Parameter Conditions
Max.
Unit
2. V TERM must not exceed Vcc + 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum, and is limited to < 20mA for the period of V TERM > Vcc + 10%.
C IN
Input Capacitance
V IN = 0V
9
pF
C OUT
(2)
Output
Recommended DC Operating
Conditions
Capacitance V OUT = 0V 10 pF
3199 tbl 08
NOTES:
1. This parameter is determined by device characterization but is not production
6.0
Symbol
V CC
GND
V IH
V IL
Parameter
Supply Voltage
Ground
Input High Voltage
Input Low Voltage
Min.
4.5
0
2.2
-0.5 (1)
Typ.
5.0
0
____
____
Max.
5.5
0
(2)
0.8
Unit
V
V
V
V
tested.
2. C OUT also references C I/O .
NOTES:
3199 tbl 07
1. V IL > -1.5V for pulse width less than 10ns.
2. V TERM must not exceed Vcc + 10%.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V CC = 5.0V ± 10%)
7027S
7027L
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current (1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V CC = 5.5V, V IN = 0V to V CC
CE = V IH , V OUT = 0V to V CC
I OL = 4mA
I OH = -4mA
Min.
___
___
___
2.4
Max.
10
10
0.4
___
Min.
___
___
___
2.4
Max.
5
5
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
NOTE:
1. At Vcc < 2.0V, input leakages are undefined.
5
6.42
3199 tbl 09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7008S55PFI8 | IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP |
| IDT7008S35PF8 | IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP |
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| IDT7008S20PF8 | IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP |
| HSM28DREN | CONN EDGECARD 56POS .156 EYELET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT7027S25PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7027S25PFI | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| IDT7027S25PFI8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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