型号: | IDT7052S20G |
厂商: | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
元件分类: | SRAM |
英文描述: | 2K X 8 FOUR-PORT SRAM, 20 ns, CPGA108 |
封装: | 1.210 X 1.210 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, PGA-108 |
文件页数: | 2/11页 |
文件大小: | 123K |
代理商: | IDT7052S20G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IS61NVP12836B-200B3 | 128K X 36 ZBT SRAM, 3.1 ns, PBGA165 |
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IDT7202SA25L8 | 1K X 9 OTHER FIFO, 25 ns, CQCC32 |
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ILUI-65656V-80SHXXX | 32K X 8 STANDARD SRAM, 80 ns, PDSO28 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IDT7052S20PF | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 120TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
IDT7052S20PF8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 120TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
IDT7052S20PQF | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 132QFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
IDT7052S25G | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 108PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
IDT7052S25PF | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 120TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |