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参数资料
| 型号： | IDT7052S35PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 16KBIT 35NS 120TQFP |
| 标准包装： | 45 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 四端口，异步 |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 120-LQFP |
| 供应商设备封装： | 120-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7052S35PF |
IDT7052S/L
High-Speed 2K x 8 FourPort? Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Data Retention Characteristics Over All Temperature Ranges (4)
(L Version Only) V LC = 0.2V, V HC = V CC - 0.2V
Symbol
V DR
Parameter
V CC for Data Retention
V CC = 2 V
Test Condition
Min.
2.0
Typ. (1)
___
Max.
___
Unit
V
I CCDR
Data Retention Current
CE > V HC
Com'l.
___
25
600
μA
V IN > V HC or < V LC
Mil. & Ind.
___
25
1800
t R
t RC
t CDR
(3)
(3)
Chip Deselect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
0
(2)
___
___
___
___
ns
ns
NOTES:
1. V CC = 2V, T A = +25°C
2. t RC = Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed but not production tested.
4. Industrial temperature: For other speeds, packages and powers contact your sales office.
Low V CC Data Retention Waveform
DATA RETENTION MODE
2674 tbl 08a
V CC
CE
t CDR
V IH
4.5V
V DR ≥ 2V
V DR
4.5V
V IH
t R
2674 drw 05
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
GND to 3.0V
5ns Max.
1.5V
1.5V
DATA OUT
5V
893 ?
DATA OUT
5V
893 ?
Output Load
Figures 1 and 2
347 ?
30pF
347 ?
5pF*
2674 tbl 08b
,
2674 drw 06
Figure 1. AC Output Test Load
Figure 2. Output Test Load
(for t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
*Including scope and jig
6.42
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PDF描述 |
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| FMC43DRAH | CONN EDGECARD 86POS R/A .100 SLD |
| ASM25DREI | CONN EDGECARD 50POS .156 EYELET |
| AMM18DREI | CONN EDGECARD 36POS .156 EYELET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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