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参数资料
型号： IDT7054L25G
厂商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分类： SRAM
英文描述： HIGH-SPEED 4K x 8 FourPort STATIC RAM
中文描述： 4K X 8 FOUR-PORT SRAM, 25 ns, CPGA108
封装： CERAMIC, PGA-108
文件页数： 6/11页
文件大小： 99K
代理商： IDT7054L25G
6.42
IDT7054S/L
High-Speed 4K x 8 FourPort Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
4
Pin Configurations(1,2)
NOTES:
1. All VCC pins must be connected to the power supply.
2. All GND pins must be connected to the ground supply.
Absolute Maximum Ratings(1)
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure
to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect
reliability.
2. VTERM must not exceed Vcc + 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum, and is limited to < 20mA for the period of VTERM > VCC + 10%.
NOTES:
1. VIL
> -1.5V for pulse width less than 10ns.
2. VTERM must not exceed Vcc + 10%.
Recommended DC Operating
Conditions
Maximum Operating Temperature
and Supply Voltage(1)
NOTES:
1. This parameter is determined by device characterization but is not production
tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and the output
signals switch from 0V to 3V or from 3V to 0V.
Capacitance(1)
(TA = +25°C, f = 1.0MHz) TQ.P ONLY
NOTES:
1. This is the parameter TA. This is the "instant on" case temperature.
Symbol
Pin Name
A0 P1 - A11 P1
Address Line s - Port 1
A0 P2 - A11 P2
Address Line s - Port 2
A0 P3 - A11 P3
Address Line s - Port 3
A0 P4 - A11 P4
Address Line s - Port 4
I/O0 P1 - I/O7 P1
Data I/O - Port 1
I/O0 P2 - I/O7 P2
Data I/O - Port 2
I/O0 P3 - I/O7 P3
Data I/O - Port 3
I/O0 P4 - I/O7 P4
Data I/O - Port 4
R/
W P1
Read/Write - Port 1
R/
W P2
Read/Write - Port 2
R/
W P3
Read/Write - Port 3
R/
W P4
Read/Write - Port 4
GND
Ground
CE P1
Chip Enab le - Port 1
CE P2
Chip Enab le - Port 2
CE P3
Chip Enab le - Port 3
CE P4
Chip Enab le - Port 4
OE P1
Output Enab le - Port 1
OE P2
Output Enab le - Port 2
OE P3
Output Enab le - Port 3
OE P4
Output Enab le - Port 4
VCC
Power
3241 tbl 01
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
VCC
Supply Voltage
4.5
5.0
5.5
V
GND
Ground
0
V
VIH
Input High Voltage
2.2
____
6.0(2)
V
VIL
Input Low Voltage
-0.5
(1)
____
0.8
V
3241 tbl 02
Symbol
Parameter
Conditions
(2)
Max.
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 0V
9
pF
COUT
Output
Capacitance
VOUT = 0V
10
pF
3241 tbl 03
Grade
Ambient
Temperature
GND
Vcc
Military
-55°C to +125°C
0V
5.0V
+ 10%
Commercial
0°C to +70°C0V
5.0V
+ 10%
Industrial
-40°C to +85°C
0V
5.0V
+ 10%
3241 tbl 04
Symbol
Rating
Commercial
& Industrial
Military
Unit
VTERM
(2)
Terminal Voltage
with Respect
to GND
-0.5 to +7.0
V
TBIAS
Temperature
Under Bias
-55 to +125
-65 to +135
oC
TSTG
Storage
Temperature
-65 to +150
oC
IOUT
DC Output Current
50
mA
3241 tbl 05
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