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参数资料
| 型号： | IDT7054L25PRF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 32KBIT 25NS 128TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 四端口，异步 |
| 存储容量： | 32K (4K x 8) |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 128-LQFP |
| 供应商设备封装： | 128-TQFP（14x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7054L25PRF |
IDT7054S/L
High-Speed 4K x 8 FourPort? Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage (5)
7054X20
Com'l Only
7054X25
Com'l, Ind
& Military
7054X35
Com'l &
Military
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
WRITE CYCLE
t WC
t EW
t AW
t AS
t WP
t WR
t DW
Write Cycle Time
Chip Enable to End-of-Write
Address Valid to End-of-Write
Address Set-up Time
Write Pulse Width (3)
Write Recovery Time
Data Valid to End-of-Write
20
15
15
0
15
0
15
____
____
____
____
____
____
____
25
20
20
0
20
0
15
____
____
____
____
____
____
35
30
30
0
30
0
20
____
____
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
15
____
15
____
15
ns
Write Enable to Output in High-Z
t DH
t WZ
t OW
t WDD
Data Hold Time
(1,2)
Output Active from End-of-Write (1,2)
Write Pulse to Data Delay (4)
0
____
0
____
____
12
____
35
0
____
0
____
____
15
____
45
0
____
0
____
____
15
____
55
ns
ns
ns
ns
t DDD
Write Data Valid to Read Data Delay
(4)
____
30
____
35
____
45
ns
NOTES:
3241 tbl 10
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization but is not production tested.
3. If OE = V IL during a R/ W controlled write cycle, the write pulse width must be the larger of t WP or (t WZ + t DW ) to allow the I/O drivers to turn off data to be placed on
the bus for the required t DW . If OE = V IH during an R/ W controlled write cycle, this requirement does not apply and the write pulse can be as short as the specified
t WP. Specified for OE = V IH (refer to “Timing Waveform of Write Cycle”, Note 8).
4. Port-to-port delay through RAM cells from writing port to reading port, refer to “Timing Waveform of Write with Port-to-Port Read”.
5. 'X' in part number indicates power rating.
8
6.42
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