- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录3989 > IDT7054S20PRF (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 32KBIT 20NS 128TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT7054S20PRF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 32KBIT 20NS 128TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 四端口，异步 |
| 存储容量： | 32K (4K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 128-LQFP |
| 供应商设备封装： | 128-TQFP（14x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7054S20PRF |
IDT7054S/L
High-Speed 4K x 8 FourPort? Static RAM
externally arbitrated or withstand contention when all ports simultaneously
access the same FourPort RAM location.
The IDT7054 provides four independent ports with separate control,
address, and I/O pins that permit independent, asynchronous access for
reads or writes to any location in memory. It is the user’s responsibility to
ensure data integrity when simultaneously accessing the same memory
location from all ports. An automatic power down feature, controlled by CE ,
permits the on-chip circuitry of each port to enter a very low power standby
power mode.
Pin Configurations (1,2,3)
11/14/01
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Fabricated using IDT’s CMOS high-performance technology, this
FourPort SRAM typically operates on only 750mW of power. Low-power
(L) versions offer battery backup data retention capability, with each port
typically consuming 50μW from a 2V battery.
The IDT7054 is packaged in a ceramic 108-pin Pin Grid Array (PGA)
and a 128-pin Thin Quad Flatpack (TQFP). The military grade product
is manufactured in compliance with the latest revision of MIL-PRF-38535
QML, making it ideally suited to military temperature applications demand-
ing the highest level of performance and reliability.
81
80
77
74
72
69
68
65
63
60
57
54
R/ W
P2
84
NC
A 11
P2
83
OE
78
A 7
P2
A 8
76
A 5
P2
A 10
73
A 3
P2
A 4
70
A 0
P2
A 1
67
A 0
P3
A 1
64
A 3
P3
A 4
A 5
P3
61
A 10
59
A 7
P3
A 8
56
A 11
P3
OE
R/ W
P3
53
NC
12
11
P2
P2
P2
P2
P2
P3
P3
P3
P3
P3
87
86
82
79
75
71
66
62
58
55
51
50
A 2
P1
A 1
P1
CE
P2
A 9
P2
A 6
P2
A 2
P2
A 2
P3
A 6
P3
A 9
P3
CE
P3
A 1
P4
A 2
P4
10
90
88
85
52
49
47
A 5
P1
92
A 10
P1
91
A 3
P1
A 6
P1
89
A 0
P1
A 4
P1
48
A 0
P4
A 4
P4
46
A 3
P4
A 6
P4
45
A 5
P4
A 10
P4
09
08
95
A 8
P1
94
A 7
P1
93
V CC
IDT7054G
G108-1 (4)
44
GND
43
A 7
P4
42
A 8
P4
07
96
A 9
P1
97
A 11
P1
98
CE
P1
108-Pin PGA
Top View (5)
39
CE
P4
40
A 11
P4
41
A 9
P4
06
99
100
102
35
37
38
R/ W
P1
101
NC
OE
P1
103
I/O 1
I/O 0
P1
106
GND
GND
31
GND
OE
P4
34
I/O 7
36
R/ W
P4
NC
05
04
P1
P4
104
105
1
4
8
12
17
21
25
28
32
33
I/O 2
I/O 3
I/O 6
V CC
GND
V CC
V CC
GND
V CC
I/O 2
I/O 5
I/O 6
03
P1
P1
P1
P4
P4
P4
107
2
5
7
10
13
16
19
22
24
29
30
I/O 4
P1
108
I/O 5
P1
A
3
I/O 7
P1
NC
B
6
I/O 0
P2
I/O 1
P2
C
I/O 2
P2
9
I/O 3
P2
D
I/O 4
P2
11
I/O 5
P2
E
I/O 6
P2
14
I/O 7
P2
F
I/O 1
P3
15
I/O 0
P3
G
I/O 3
P3
18
I/O 2
P3
H
I/O 5
P3
20
I/O 4
P3
J
I/O 7
P3
23
I/O 6
P3
K
I/O 3
P4
26
I/O 0
P4
L
I/O 4
P4
27
I/O 1
P4
M
02
01
INDEX
NOTES:
1. All V CC pins must be connected to the power supply.
2. All GND pins must be connected to the ground supply.
3. Package body is approximately 1.21 in x 1.21 in x .16 in.
4. This package code is used to reference the package diagram.
5. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
6.42
3241 drw 02
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V657S15BF8 | IC SRAM 1.125MBIT 15NS 208FBGA |
| IDT70V657S15BC8 | IC SRAM 1.125MBIT 15NS 256BGA |
| IDT70V3579S5BF8 | IC SRAM 1.125MBIT 5NS 208FBGA |
| KMPC852TVR100A | IC MPU PWRQUICC 100MHZ 256PBGA |
| IDT70V3579S5BC8 | IC SRAM 1.125MBIT 5NS 256BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7054S20PRF8 | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 20NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7054S25G | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 25NS 108PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT7054S25PRF | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 25NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| IDT7054S25PRF8 | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 25NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7054S25PRFG | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Async Quad 5V 32K-Bit 4K x 8 25ns 128-Pin TQFP |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。