- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录3996 > IDT7054S35PRF (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 32KBIT 35NS 128TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT7054S35PRF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 32KBIT 35NS 128TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 四端口，异步 |
| 存储容量： | 32K (4K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 128-LQFP |
| 供应商设备封装： | 128-TQFP（14x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7054S35PRF |
IDT7054S/L
High-Speed 4K x 8 FourPort? Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1,5) (V CC = 5.0V ± 10%)
7054X20
Com'l Only
7054X25
Com'l, Ind
& Military
7054X35
Com'l &
Military
Symbol
Parameter
Condition
Version
TYP. (2)
Max.
TYP. (2)
Max.
TYP. (2)
Max.
Unit
I CC1
Operating Power
Supply Current
(All Ports Active)
CE = V IL
Outputs Disabled
f = 0 (3)
COM'L.
MIL. &
S
L
S
150
150
____
300
250
____
150
150
150
300
250
360
150
150
150
300
250
360
mA
mA
IND.
L
____
____
150
300
150
300
I CC2
Dynamic Operating
Current
(All Ports Active)
CE = V IL
Outputs Disabled
f = f MAX (4)
COM'L.
MIL. &
S
L
S
240
210
____
370
325
____
225
195
225
350
305
400
210
180
210
335
290
395
mA
mA
IND.
L
____
____
195
340
180
330
I SB
Standby Current
(All Ports - TTL Level
CE = V IH
f = f MAX (4)
COM'L.
S
L
70
60
95
80
60
50
85
70
40
35
75
60
mA
Inputs)
MIL. &
IND.
S
L
____
____
____
____
60
50
115
85
40
35
110
80
mA
I SB1
Full Standby Current
(All Ports - All
CMOS Level Inputs)
All Ports
CE > V CC - 0.2V
V IN > V CC - 0.2V or
V IN < 0.2V, f = 0 (3)
COM'L.
MIL. &
S
L
S
1.5
0.3
____
15
1.5
____
1.5
0.3
1.5
15
1.5
30
1.5
0.3
1.5
15
1.5
30
mA
mA
IND.
L
____
____
0.3
4.5
0.3
4.5
NOTES:
3241 tbl 06
1. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
2. V CC = 5V, T A = +25°C and are not production tested.
3. f = 0 means no address or control lines change.
4. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/t RC , and using “AC Test Conditions” of input
levels of GND to 3V.
5. For the case of one port, divide the appropriate current above by four.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V CC = 5.0V ± 10%)
7054S
7054L
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current (1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V CC = 5.5V, V IN = 0V to V CC
CE = V IH , V OUT = 0V to V CC
I OL = 4mA
I OH = -4mA
Min.
___
___
___
2.4
Max.
10
10
0.4
___
Min.
___
___
___
2.4
Max.
5
5
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
NOTE:
1. At Vcc < 2.0V input leakages are undefined.
5
6.42
2674 tbl 07
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V27L35PF | IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP |
| KMC7457VG1000NC | IC MPU RISC 32BIT 1000MHZ 483BGA |
| IDT70V27L25PF | IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP |
| IDT70V27L20PF | IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP |
| KMC7457RX1267LC | IC MPU RISC 32BIT 1267MHZ 483BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7054S35PRF8 | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 35NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70824L20G | 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 84PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT70824L20PF | 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT70824L20PF8 | 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT70824L25G | 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 84PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。