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参数资料
| 型号： | IDT709089L9PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 9ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 709089L9PF |
IDT709089/79S/L
High-Speed 64/32K x 8 Synchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
(1)
Recommended DC Operating
Conditions
6.0
Grade
Commercial
Industrial
Ambient
Temperature
0 O C to +70 O C
-40 O C to +85 O C
GND
0V
0V
V CC
5.0V + 10%
5.0V + 10%
Symbol
V CC
GND
V IH
Parameter
Supply Voltage
Ground
Input High Voltage
Min.
4.5
0
2.2
Typ.
5.0
0
____
Max.
5.5
0
(1)
Unit
V
V
V
3242 tbl 04
-0.5
NOTES:
1. This is the parameter T A . This is the "instant on" case temperature.
V IL
Input Low Voltage
(2)
____
0.8
V
3242 tbl 05
NOTES:
1. V TERM must not exceed V CC + 10%.
2. V IL > -1.5V for pulse width less than 10ns.
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Commercial
Unit
Capacitance (1)
(T A = +25°C, f = 1.0MH z )
& Industrial
Symbol
Parameter
Conditions (2)
Max.
Unit
V TERM
(2)
Terminal Voltage
with Respect to GND
-0.5 to +7.0
V
C IN
Input Capacitance
V IN = 3dV
9
pF
C OUT
T BIAS
Temperature Under Bias
-55 to +125
o
C
(3)
Output Capacitance
V OUT = 3dV
10
pF
T STG
T JN
Storage Temperature
Junction Temperature
-65 to +150
+150
o
o
C
C
3242 tbl 07
NOTES:
1. These parameters are determined by device characterization, but are not
production tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output
I OUT
DC Output Current
50
mA
switch from 0V to 3V or from 3V to 0V.
3. C OUT also references C I/O .
3242 tbl 06
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in
the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V TERM must not exceed V CC + 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum, and is limited to < 20mA for the period of V TERM > V CC + 10%.
3. Ambient Temperature Under DC Bias. No AC Conditions. Chip Deselected.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V CC = 5.0V ± 10%)
709089/79S/L
Input Leakage Current
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
(1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V CC = 5.5V, V IN = 0V to V CC
CE 0 = V IH or CE 1 = V IL , V OUT = 0V to V CC
I OL = +4mA
I OH = -4mA
Min.
___
___
___
2.4
Max.
10
10
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
NOTE:
1. At V CC < 2.0V input leakages are undefined.
6.42
3242 tbl 08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IDT709089S15PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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