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参数资料
| 型号： | IDT70914S20PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 36KBIT 20NS 80TQFP |
| 标准包装： | 45 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 36K（4K x 9） |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 80-LQFP |
| 供应商设备封装： | 80-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70914S20PF 800-1370 |
IDT70914S
High-Speed 36K (4K x 9) Synchronous Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Commercial Military
& Industrial
Unit
Maximum Operating Temperature
and Supply Voltage (1,2)
Grade Ambient GND V CC
V TERM (2)
V TERM (2)
Terminal Voltage
with Respect
to GND
Terminal Voltage
-0.5 to +7.0
-0.5 to V CC
-0.5 to +7.0
-0.5 to V CC
V
V
Military
Commercial
Temperature
-55 O C to+125 O C
0 O C to +70 O C
0V
0V
5.0V + 10%
5.0V + 10%
T BIAS
Temperature
-55 to +125
-65 to +135
o
C
Industrial
-40 O C to +85 O C
0V
5.0V + 10%
Under Bias
3490 tbl 02
T STG
Storage
Temperature
-65 to +150
-65 to +150
o
C
NOTES:
1. This is the parameter T A . This is the "instant on" casae temperature.
2. Industrial temperature: for specific speeds, packages and powers contact your
I OUT
DC Output
50
50
mA
Current
NOTES:
3490 tbl 01
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
Recommended DC Operating
Conditions
2. V TERM must not exceed V CC + 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum, and is limited to < 20mA for the period of V TERM > V cc + 10%.
Symbol
V CC
GND
Parameter
Supply Voltage
Ground
Min.
4.5
0
Typ.
5.0
0
Max.
5.5
0
Unit
V
V
-0.5
6.0
Capacitance
(T A = +25°C, f = 1.0MH z ) TQFP Only
Symbol Parameter Conditions
Input Capacitance
V IN = 3dV
C IN
Max.
8
Unit
pF
V IH Input High Voltage
V IL Input Low Voltage
NOTES:
1. V IL > -1.5V for pulse width less than 10ns.
2. V TERM must not exceed V CC + 10%.
2.2
(1)
____
____
(2)
0.8
V
V
3490 tbl 03
C OUT
Output Capacitance
V OUT = 3dV
9
pF
NOTES:
3490 tbl 04
1. These parameters are determined by device characterization, but are not
production tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output switch
from 0V to 3V or from 3V to 0V.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V CC = 5.0V ± 10%)
70914S
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current (1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V CC = 5.5V, V IN = 0V to V CC
CE = V IH , V OUT = 0V to V CC
I OL = +4mA
I OH = -4mA
Min.
___
___
___
2.4
Max.
10
10
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
NOTE:
1. At V CC < 2.0V, input leakages are undefined
6.42
3490 tbl 05
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PDF描述 |
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