参数资料
型号: IDT70914S25PF8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 6/11页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 36KBIT 25NS 80TQFP
标准包装: 750
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 36K(4K x 9)
速度: 25ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 80-LQFP
供应商设备封装: 80-TQFP(14x14)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 70914S25PF8
IDT70914S
High-Speed 36K (4K x 9) Synchronous Dual-Port Static RAM
AC Test Conditions
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
3ns Max.
1.5V
1.5V
Figures 1,2 and 3
3490 tbl 07
DATA OUT
5V
893 ?
DATA OUT
5V
893 ?
347 ?
30pF
347 ?
5pF*
3490 drw 05
Figure 1. AC Output Test load.
8
7
6
3490 drw 06
Figure 2. Output Test Load
(For t CKLZ , t CKHZ , t OLZ , and t OHZ ).
*Including scope and jig.
- 9pF is the I/O capacitance
of this device, and 30pF is the
AC Test Load Capacitance
? tCD
(Typical, ns)
5
4
3
2
1
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
,
-1
Capacitance (pF)
3490 drw 07
Figure 3. Typical Output Derating (Lumped Capacitive Load).
6.42
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